Name: AIMBG120R010M1XTMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-AIMBG120R010M1XTMA1TR-ND
Price: 38.7321 EUR
Availability: OutOfStock

Canal N Montaje en superficie 1200 V 205H (Tc) 882W (Tc) PG-TO263-7

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AIMBG120R010M1XTMA1
N.º de producto de DigiKey	448-AIMBG120R010M1XTMA1TR-ND - Cinta y rollo (TR) 448-AIMBG120R010M1XTMA1CT-ND - Cinta cortada (CT) 448-AIMBG120R010M1XTMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	Infineon Technologies
Número de pieza del fabricante	AIMBG120R010M1XTMA1
Descripción	SICFET N-CH 1200V 205A TO-263
Plazo estándar del fabricante	61 semanas
Referencia del cliente
Descripción detallada	Canal N Montaje en superficie 1200 V 205H (Tc) 882W (Tc) PG-TO263-7
Hoja de datos	Hoja de datos
Modelos EDA/CAD	AIMBG120R010M1XTMA1 Modelos

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Categoría Productos de semiconductores discretos Transistores FET, MOSFET FET simple, MOSFET	Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 178 nC @ 20 V
Fabricante Infineon Technologies	Vgs (máx.) +25V, -10V
Serie CoolSiC™	Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 5703 pF @ 800 V
Embalaje Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Disipación de potencia (Máx.) 882W (Tc)
Estado de pieza Activo	Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo FET Canal N	Grado Uso automotriz
Tecnología SiCFET (Carburo de silicio)	Calificación AEC-Q101
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 1200 V	Tipo de montaje Montaje en superficie
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC 205H (Tc)	Paquete del dispositivo del proveedor PG-TO263-7
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 18V, 20V	Paquete / Caja (carcasa) TO-263-8, conductores D2PAK (7 conductores + pestaña), TO-263CA
Rds On (máx) @ Id, Vgs 11.3mOhm a 93A, 20V	Número de producto base AIMBG120
Vgs(th) (máx) a Id 5.1V a 30mA