
IMBG65R163M1HXTMA1 | |
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N.º de producto de DigiKey | 448-IMBG65R163M1HXTMA1TR-ND - Cinta y rollo (TR) 448-IMBG65R163M1HXTMA1CT-ND - Cinta cortada (CT) 448-IMBG65R163M1HXTMA1DKR-ND - Digi-Reel® |
Fabricante | |
Número de pieza del fabricante | IMBG65R163M1HXTMA1 |
Descripción | SILICON CARBIDE MOSFET PG-TO263- |
Plazo estándar del fabricante | 23 semanas |
Referencia del cliente | |
Descripción detallada | Canal N Montaje en superficie 650 V 17A (Tc) 85W (Tc) PG-TO263-7-12 |
Hoja de datos | Hoja de datos |
Modelos EDA/CAD | IMBG65R163M1HXTMA1 Modelos |
Tipo | Descripción | Seleccionar todo |
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Categoría | ||
Fabricante | ||
Serie | ||
Embalaje | Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel® | |
Estado de pieza | Activo | |
Tipo FET | ||
Tecnología | ||
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) | 650 V | |
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC | ||
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) | 18V | |
Rds On (máx) @ Id, Vgs | 217mOhm a 5.7A, 18V | |
Vgs(th) (máx) a Id | 5.7V a 1.7mA | |
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs | 10 nC @ 18 V | |
Vgs (máx.) | +23V, -5V | |
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds | 320 pF @ 400 V | |
Característica de FET | - | |
Disipación de potencia (Máx.) | 85W (Tc) | |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 175°C (TJ) | |
Grado | - | |
Calificación | - | |
Tipo de montaje | Montaje en superficie | |
Paquete del dispositivo del proveedor | PG-TO263-7-12 | |
Paquete / Caja (carcasa) | ||
Número de producto base |
Cantidad | Precio por unidad | Precio ext. |
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1 | 4,27000 € | 4,27 € |
10 | 2,74300 € | 27,43 € |
100 | 2,01780 € | 201,78 € |
500 | 1,90986 € | 954,93 € |
Cantidad | Precio por unidad | Precio ext. |
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1.000 | 1,59689 € | 1.596,89 € |
Precio unitario sin IVA: | 4,27000 € |
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Precio unitario con IVA: | 5,16670 € |