Name: IMBG65R107M1HXTMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IMBG65R107M1HXTMA1TR-ND
Price: 7.0664 EUR
Availability: InStock

IMBG65R107M1HXTMA1
N.º de producto de DigiKey	448-IMBG65R107M1HXTMA1TR-ND - Cinta y rollo (TR) 448-IMBG65R107M1HXTMA1CT-ND - Cinta cortada (CT) 448-IMBG65R107M1HXTMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	Infineon Technologies
Número de pieza del fabricante	IMBG65R107M1HXTMA1
Descripción	SILICON CARBIDE MOSFET PG-TO263-
Referencia del cliente
Descripción detallada	Canal N Montaje en superficie 650 V 24A (Tc) 110W (Tc) PG-TO263-7-12
Hoja de datos	Hoja de datos
Modelos EDA/CAD	IMBG65R107M1HXTMA1 Modelos

Tipo	Descripción	Seleccionar todo
Categoría	Productos de semiconductores discretos Transistores FET, MOSFET FET simple, MOSFET
Fabricante	Infineon Technologies
Serie	CoolSIC™ M1
Embalaje	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®
Estado de pieza	No para diseños nuevos
Tipo FET	Canal N
Tecnología	SiCFET (Carburo de silicio)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)	650 V
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC	24A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)	18V
Rds On (máx) @ Id, Vgs	141mOhm a 8.9A, 18V
Vgs(th) (máx) a Id	5.7V a 2.6mA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs	15 nC @ 18 V
Vgs (máx.)	+23V, -5V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds	496 pF @ 400 V
Característica de FET	-
Disipación de potencia (Máx.)	110W (Tc)
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 175°C (TJ)
Grado	-
Calificación	-
Tipo de montaje	Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor	PG-TO263-7-12
Paquete / Caja (carcasa)	TO-263-8, conductores D2PAK (7 conductores + pestaña), TO-263CA
Número de producto base	IMBG65R

Cantidad	Precio por unidad	Precio ext.
1.000	2,22980 €	2.229,80 €
2.000	2,17553 €	4.351,06 €

Precio unitario sin IVA:	5,84000 €
Precio unitario con IVA:	7,06640 €

IMBG65R107M1HXTMA1