
NXV08A170DB2 | |
|---|---|
N.º de producto de DigiKey | 488-NXV08A170DB2-ND |
Fabricante | |
Número de pieza del fabricante | NXV08A170DB2 |
Descripción | MOSFET 2N-CH 80V 200A APM12-CBA |
Plazo estándar del fabricante | 45 semanas |
Referencia del cliente | |
Descripción detallada | MOSFET - Arreglos 80V 200A (Tj) Orificio pasante APM12-CBA |
Hoja de datos | Hoja de datos |
Tipo | Descripción | Seleccionar todo |
|---|---|---|
Categoría | ||
Fabricante | onsemi | |
Serie | - | |
Embalaje | Bandeja | |
Estado de pieza | Activo | |
Tecnología | MOSFET (óxido de metal) | |
Configuración | 2 canales N (medio puente) | |
Característica de FET | - | |
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) | 80V | |
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC | 200A (Tj) | |
Rds On (máx) @ Id, Vgs | 0.99mOhm a 80A, 10V, 1.35mOhm a 80A, 10V | |
Vgs(th) (máx) a Id | 4V a 250µA | |
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs | 195nC a 10V | |
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds | 14000pF a 40V | |
Potencia - Máx. | - | |
Temperatura de funcionamiento | 175°C (TJ) | |
Grado | Uso automotriz | |
Calificación | AEC-Q100 | |
Tipo de montaje | Orificio pasante | |
Paquete / Caja (carcasa) | Módulo 12-PowerDIP (1.118", 28.40mm) | |
Paquete del dispositivo del proveedor | APM12-CBA |
| Cantidad | Precio por unidad | Precio ext. |
|---|---|---|
| 1 | 17,21000 € | 17,21 € |
| 10 | 12,32600 € | 123,26 € |
| 288 | 9,71663 € | 2.798,39 € |
| Precio unitario sin IVA: | 17,21000 € |
|---|---|
| Precio unitario con IVA: | 20,82410 € |


