Name: AIMBG75R016M1HXTMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-AIMBG75R016M1HXTMA1TR-ND
Price: 21.9857 EUR
Availability: InStock

AIMBG75R016M1HXTMA1
N.º de producto de DigiKey	448-AIMBG75R016M1HXTMA1TR-ND - Cinta y rollo (TR) 448-AIMBG75R016M1HXTMA1CT-ND - Cinta cortada (CT) 448-AIMBG75R016M1HXTMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	Infineon Technologies
Número de pieza del fabricante	AIMBG75R016M1HXTMA1
Descripción	SICFET N-CH 750V 98A TO-263
Plazo estándar del fabricante	61 semanas
Referencia del cliente
Descripción detallada	Canal N Montaje en superficie 750 V 98A (Tc) 384W (Tc) PG-TO263-7-12
Hoja de datos	Hoja de datos

Tipo	Descripción	Seleccionar todo
Categoría	Productos de semiconductores discretos Transistores FET, MOSFET FET simple, MOSFET
Fabricante	Infineon Technologies
Serie	CoolSiC™
Embalaje	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®
Estado de pieza	Activo
Tipo FET	Canal N
Tecnología	SiCFET (Carburo de silicio)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)	750 V
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC	98A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)	15V, 20V
Rds On (máx) @ Id, Vgs	15mOhm a 41.5A, 20V
Vgs(th) (máx) a Id	5.6V a 14.9mA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs	81 nC @ 18 V
Vgs (máx.)	+25V, -10V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds	2869 pF @ 500 V
Característica de FET	-
Disipación de potencia (Máx.)	384W (Tc)
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 175°C (TJ)
Grado	Uso automotriz
Calificación	AEC-Q101
Tipo de montaje	Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor	PG-TO263-7-12
Paquete / Caja (carcasa)	TO-263-8, conductores D2PAK (7 conductores + pestaña), TO-263CA
Número de producto base	AIMBG75

Precio unitario sin IVA:	18,17000 €
Precio unitario con IVA:	21,98570 €

AIMBG75R016M1HXTMA1