Name: DMP21D0UFB4-7B
Brand: Diodes Incorporated
SKU: DMP21D0UFB4-7BDITR-ND
Price: 0.4598 EUR
Availability: OutOfStock

DMP21D0UFB4-7B
N.º de producto de DigiKey	DMP21D0UFB4-7BDITR-ND - Cinta y rollo (TR) DMP21D0UFB4-7BDICT-ND - Cinta cortada (CT) DMP21D0UFB4-7BDIDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	Diodes Incorporated
Número de pieza del fabricante	DMP21D0UFB4-7B
Descripción	MOSFET P-CH 20V 770MA 3DFN
Plazo estándar del fabricante	40 semanas
Referencia del cliente
Descripción detallada	Canal P Montaje en superficie 20 V 770mA (Ta) 430mW (Ta) X2-DFN1006-3
Hoja de datos	Hoja de datos
Modelos EDA/CAD	DMP21D0UFB4-7B Modelos

Tipo	Descripción	Seleccionar todo
Categoría	Productos de semiconductores discretos Transistores FET, MOSFET FET simple, MOSFET
Fabricante	Diodes Incorporated
Serie	-
Embalaje	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®
Estado de pieza	Activo
Tipo FET	Canal P
Tecnología	MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)	20 V
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC	770mA (Ta)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)	1.8V, 4.5V
Rds On (máx) @ Id, Vgs	495mOhm a 400mA, 4.5V
Vgs(th) (máx) a Id	1V a 250µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs	1.54 nC @ 8 V
Vgs (máx.)	±8V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds	80 pF @ 10 V
Característica de FET	-
Disipación de potencia (Máx.)	430mW (Ta)
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Grado	-
Calificación	-
Tipo de montaje	Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor	X2-DFN1006-3
Paquete / Caja (carcasa)	3-XFDFN
Número de producto base	DMP21

Precio unitario sin IVA:	0,38000 €
Precio unitario con IVA:	0,45980 €

DMP21D0UFB4-7B