Name: DMP31D0UFB4-7B
Brand: Diodes Incorporated
SKU: DMP31D0UFB4-7BDITR-ND
Price: 0.6292 EUR
Availability: InStock

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DMP31D0UFB4-7B
N.º de producto de DigiKey	DMP31D0UFB4-7BDITR-ND - Cinta y rollo (TR) DMP31D0UFB4-7BDICT-ND - Cinta cortada (CT) DMP31D0UFB4-7BDIDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	Diodes Incorporated
Número de pieza del fabricante	DMP31D0UFB4-7B
Descripción	MOSFET P-CH 30V 540MA 3DFN
Plazo estándar del fabricante	24 semanas
Referencia del cliente
Descripción detallada	Canal P Montaje en superficie 30 V 540mA (Ta) 460mW (Ta) X2-DFN1006-3
Hoja de datos	Hoja de datos
Modelos EDA/CAD	DMP31D0UFB4-7B Modelos

Atributos del producto

Tipo	Descripción	Seleccionar todo
Categoría	Productos de semiconductores discretos Transistores FET, MOSFET FET simple, MOSFET
Fabricante	Diodes Incorporated
Serie	-
Embalaje	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®
Estado de pieza	Activo
Tipo FET	Canal P
Tecnología	MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)	30 V
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC	540mA (Ta)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)	1.8V, 4.5V
Rds On (máx) @ Id, Vgs	1Ohm a 400mA, 4.5V
Vgs(th) (máx) a Id	1.1V a 250µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs	0.9 nC @ 4.5 V
Vgs (máx.)	±8V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds	76 pF @ 15 V
Característica de FET	-
Disipación de potencia (Máx.)	460mW (Ta)
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Grado	-
Calificación	-
Tipo de montaje	Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor	X2-DFN1006-3
Paquete / Caja (carcasa)	3-XFDFN
Número de producto base	DMP31

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