Diodos Schottky de carburo de silicio de 650 V

Vishay presenta sus diodos Schottky de carburo de silicio (SiC) de 650 V con un diseño PIN Schottky (MPS) combinado. Estos dispositivos están diseñados para aumentar la eficiencia de las aplicaciones de alta frecuencia al reducir las pérdidas de conmutación, independientemente de los efectos de las variaciones de temperatura, lo que permite que los dispositivos funcionen a temperaturas más altas. El diseño combinado de PIN Schottky de los dispositivos protege el campo eléctrico de la barrera Schottky para reducir las corrientes de fuga al tiempo que aumenta la capacidad de sobrecorriente mediante la inyección en el orificio. En comparación con los dispositivos Schottky de silicio puro, estos diodos manejan el mismo nivel de corriente con solo un ligero aumento en la caída de voltaje directo mientras demuestran un grado significativamente mayor de robustez, lo que brinda a los diseñadores una mayor flexibilidad en la optimización del sistema. Se ofrecen en paquetes de 2L TO-220AC y TO-247AD 3L.