VS-C12ET07T-M3 Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Productos de semiconductores discretos

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VS-C12ET07T-M3
N.º de producto de DigiKey	751-VS-C12ET07T-M3-ND
Fabricante	Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Número de pieza del fabricante	VS-C12ET07T-M3
Descripción	DIODE SIL CARB 650V 12A TO220AC
Referencia del cliente
Descripción detallada	Diodos 650 V 12A Orificio pasante TO-220AC

Atributos del producto

Tipo	Descripción	Seleccionar todo
Categoría	Productos de semiconductores discretos Diodos Rectificadores Diódos simples
Fabricante	Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Serie	-
Embalaje	Tubo
Estado de pieza	Obsoleto
Tecnología	SiC (carburo de silicio) Schottky
Voltaje - CC inverso (Vr) (Máx.)	650 V
Corriente - Promedio rectificado (Io)	12A
Voltaje - Directo (Vf) (máx.) a If	1.7 V @ 12 A
Velocidad	Recuperación rápida =< 500ns, > 200mA (Io)
Corriente - Fuga inversa a Vr	65 µA @ 650 V
Capacitancia según Vr, F	515pF a 1V, 1MHz
Tipo de montaje	Orificio pasante
Paquete / Caja (carcasa)	TO-220-2
Paquete del dispositivo del proveedor	TO-220AC
Temperatura de funcionamiento: acoplamiento	-55°C ~ 175°C
Número de producto base	C12ET07