MOSFET de potencia serie STripFET F7

La serie STripFET F7 de ST de MOSFET de bajo voltaje cuenta con una estructura de compuerta de trinchera mejorada que disminuye la resistencia en estado encendido mientras reduce también las capacitancias internas y la carga de la compuerta para una conmutación más rápida y eficiente. Su excelente figura de mérito (FoM) y resistencia a alta avalancha ayudan a simplificar diseños y reducir el tamaño del equipo y el costo mientras aumenta la fiabilidad en aplicaciones tales como telecomunicaciones o sistemas de computación, inversores solares, automatización industrial y aplicaciones automotrices.

En comparación con las series anteriores STripFET F4 y F3, la nueva serie F7 ofrece una resistencia mucho menor en estado encendido por área de matriz. Esto, a su vez, simplifica las necesidades de los diseñadores de conseguir diseños de potencia alta al reducir la cantidad de dispositivos conectados en paralelo.

Los MOSFET STripFET F7 de 80 V en H2PAK para diseños de control de motor de corriente alta con resistencia en estado encendido de 1.7 mΩ, hasta la capacidad de corriente de 200 A.

Aumente la eficiencia de su próximo diseño de control de motor de alta corriente con los últimos MOSFET STripFET F7 de 80 V montados en un paquete 6-H2PAK de 2 y 6 conductores, de resistencia térmica baja y de alta corriente (hasta 200 A). Combinan una resistencia en estado encendido muy baja (1.7 mΩ) con un comportamiento de conmutación optimizado con el fin de cumplir con los requerimientos rigurosos de eficiencia, funcionamiento excelente de EMI y solidez de alta avalancha para diseños robustos (STH270N8F7-2 y STH270N8F7-6).

Características y beneficios

• Entre los R_RDS(on) más bajos en el mercado
• R_DS(on) mínimo x Q_g para mayor eficiencia del sistema y diseños más compactos
• El menor índice de C_rss/c_iss para inmunidad EMI
• Solidez alta ante avalancha