MOSFET de SiC de 1200 V Gen3 de la serie QSiC™

El MOSFET de carburo de silicio (SiC) de tercera generación QSiC de 1200 V de SemiQ está diseñado para aplicaciones de alto voltaje que exigen mayor eficiencia, tamaño compacto y rendimiento térmico. Aproximadamente un 20% más pequeño que la generación anterior, reduce las pérdidas de conmutación y admite un funcionamiento más allá de 1400 V. Ideal para estaciones de carga de vehículos eléctricos, inversores solares, sistemas de energía renovable, fuentes de alimentación industriales, accionamientos de motores y calentamiento por inducción, este dispositivo ayuda a reducir el tamaño del sistema al tiempo que mejora la densidad de potencia y la confiabilidad.

Disponible en paquetes de matriz sin revestir, SOT-227, TSPak y TO-247-4L, el MOSFET de SiC Gen3 brinda a los ingenieros flexibilidad en una variedad de diseños de energía. Con un rendimiento de SiC probado y una construcción robusta, es compatible con la electrónica de potencia eficiente de nueva generación en los sectores industrial y de las energías renovables.