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MOSFET - Arreglos 1200V (1.2kV) 29A (Tc) 103W (Tc) Montaje de chasis
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GCMX080A120B2T1P

N.º de producto de DigiKey
1560-GCMX080A120B2T1P-ND
Fabricante
SemiQ
Número de pieza del fabricante
GCMX080A120B2T1P
Descripción
1200V 80 SIC MOSFET SIX-PACK MOD
Plazo estándar del fabricante
22 semanas
Referencia del cliente
Descripción detallada
MOSFET - Arreglos 1200V (1.2kV) 29A (Tc) 103W (Tc) Montaje de chasis
Hoja de datos
 Hoja de datos
Atributos del producto
Tipo
Descripción
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Categoría
Fabricante
SemiQ
Serie
QSiC™
Embalaje
Bandeja
Estado de pieza
Activo
Tecnología
Carburo de silicio (SiC)
Configuración
Canal 6 N (pata de fase)
Característica de FET
-
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
1200V (1.2kV)
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC
29A (Tc)
Rds On (máx) @ Id, Vgs
100mOhm a 10A, 18V
Vgs(th) (máx) a Id
4V a 5mA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs
56nC a 18V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds
1400pF a 800V
Potencia - Máx.
103W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-40°C ~ 175°C (TJ)
Grado
-
Calificación
-
Tipo de montaje
Montaje de chasis
Paquete / Caja (carcasa)
Módulo
Paquete del dispositivo del proveedor
-
Preguntas y respuestas sobre el producto

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Cantidad
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Cantidad Precio por unidad Precio ext.
134,52000 €34,52 €
1025,65700 €256,57 €
10021,48270 €2.148,27 €
Paquete estándar del fabricante
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