Name: GP3T080A120H
Brand: SemiQ
SKU: 1560-GP3T080A120H-ND
Price: 5.9895 EUR
Availability: InStock

Nuevo producto

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GP3T080A120H
N.º de producto de DigiKey	1560-GP3T080A120H-ND
Fabricante	SemiQ
Número de pieza del fabricante	GP3T080A120H
Descripción	GEN3 1200V, 80M SIC MOSFET, TO-2
Plazo estándar del fabricante	22 semanas
Referencia del cliente
Descripción detallada	Canal N Orificio pasante 1200 V 32A (Tc) 147W (Tc) TO-247-4
Hoja de datos	Hoja de datos

Atributos del producto

Tipo	Descripción	Seleccionar todo
Categoría	Productos de semiconductores discretos Transistores FET, MOSFET FET simple, MOSFET
Fabricante	SemiQ
Serie	QSiC™
Embalaje	Tubo
Estado de pieza	Activo
Tipo FET	Canal N
Tecnología	SiCFET (Carburo de silicio)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)	1200 V
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC	32A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)	18V
Rds On (máx) @ Id, Vgs	100mOhm a 10A, 18V
Vgs(th) (máx) a Id	4V a 5mA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs	53 nC @ 18 V
Vgs (máx.)	+22V, -8V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds	1351 pF @ 1000 V
Característica de FET	-
Disipación de potencia (Máx.)	147W (Tc)
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 175°C (TJ)
Grado	-
Calificación	-
Tipo de montaje	Orificio pasante
Paquete del dispositivo del proveedor	TO-247-4
Paquete / Caja (carcasa)	TO-247-4

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Tubo

Cantidad	Precio por unidad	Precio ext.
1	4,95000 €	4,95 €
10	3,31000 €	33,10 €
100	2,37810 €	237,81 €
500	1,98104 €	990,52 €
1.000	1,90014 €	1.900,14 €

Paquete estándar del fabricante

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