FET de GaN e-mode

El FET e-mode de GaN de Nexperia, que ofrece una flexibilidad óptima en sistemas de potencia, es ideal para aplicaciones de baja potencia de 650 V. Al ofrecer un rendimiento de conmutación superior gracias a unos valores QC y QOSS muy bajos, aportan una eficiencia mejorada a la conversión de potencia CA/CC y CC/CA de 650 V, además de suponer un importante ahorro de espacio y BOM en impulsores de motor BLDC y micro servo o controladores LED. La cartera de Nexperia incluye cinco FET de GaN de 650 V nominales con valores R_DS(ON) entre 80 mΩ y 190 mΩ en una selección de encapsulados DFN de 5 mm x 6 mm y DFN de 8 mm x 8 mm. Mejoran la eficiencia de la conversión de potencia en aplicaciones industriales, solares, de carga de consumidores, de telecomunicaciones/datos de alta tensión y baja potencia (<650 V). También pueden utilizarse para diseñar motores de CC sin escobillas y accionamientos de microservidores de precisión con mayor par de torsión y más potencia.