Name: GAN080-650EBEZ
Brand: Nexperia USA Inc.
SKU: 1727-GAN080-650EBEZTR-ND
Price: 8.5063 EUR
Availability: InStock

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GAN080-650EBEZ
N.º de producto de DigiKey	1727-GAN080-650EBEZTR-ND - Cinta y rollo (TR) 1727-GAN080-650EBEZCT-ND - Cinta cortada (CT) 1727-GAN080-650EBEZDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	Nexperia USA Inc.
Número de pieza del fabricante	GAN080-650EBEZ
Descripción	650 V, 80 MOHM GALLIUM NITRIDE (
Plazo estándar del fabricante	4 semanas
Referencia del cliente
Descripción detallada	Canal N Montaje en superficie, lateral humedecible 650 V 29A (Tc) 240W (Tc) DFN8080-8
Hoja de datos	Hoja de datos

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Categoría Productos de semiconductores discretos Transistores FET, MOSFET FET simple, MOSFET	Vgs(th) (máx) a Id 2.5V a 30.7mA
Fabricante Nexperia USA Inc.	Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 6.2 nC @ 6 V
Embalaje Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Vgs (máx.) +7V, -6V
Estado de pieza Activo	Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 225 pF @ 400 V
Tipo FET Canal N	Disipación de potencia (Máx.) 240W (Tc)
Tecnología GaNFET (Nitrito de galio)	Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 650 V	Tipo de montaje Montaje en superficie, lateral humedecible
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC 29A (Tc)	Paquete del dispositivo del proveedor DFN8080-8
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 6V	Paquete / Caja (carcasa) Placa descubierta 8-VDFN
Rds On (máx) @ Id, Vgs 80mOhm a 8A, 6V	Número de producto base GAN080