MOSFET de carburo de silicio (SiC) de conmutación ultrarrápida - Serie LSIC1MO

Los MOSFET de SiC de IXYS: una tecnología Littelfuse ofrecen una alternativa excepcional a los dispositivos tradicionales de transistores de potencia basados en Si. La estructura del dispositivo MOSFET permite menores pérdidas de conmutación por ciclo y una eficiencia de carga ligera mejorada en comparación con IGBT de clasificación similar. Las propiedades inherentes del material permiten que el SiC MOSFET supere a sus homólogos de MOSFET de SiC en voltaje de bloqueo, resistencia en estado encendido específica y capacitancias de unión. El diseño robusto de este primer MOSFET de SiC se adapta a una amplia gama de aplicaciones de alta temperatura. Las frecuencias de conmutación más altas permiten componentes de filtro pasivo más pequeños; las pérdidas más bajas del dispositivo permiten disipadores térmicos más pequeños. Combinadas, estas características permiten mejorar la eficiencia del sistema y la densidad de potencia. Los dispositivos tienen tamaños de matriz más pequeños por voltaje/corriente nominal, lo que los hace ideales para el control de transmisión de motores, sistemas de conversión de energía, inversores solares y otras aplicaciones.

Recursos

• Fuente de alimentación auxiliar Littelfuse de 60 W
• Optimización de la implementación de dispositivos de rueda libre en MOSFET de SiC
• Catálogo de productos de semiconductores de potencia Littelfuse