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MOSFET de carburo de silicio (SiC) de conmutación ultrarrápida - LSIC1MO120E
Littelfuse ofrece los MOSFET de SiC de modo mejorado, de 1200 V y canal N serie LSIC1MO120E.
La serie LSIC1MO120E de MOSFET de SiC de 
Littelfuse brinda una combinación de baja resistencia en estado encendido y pérdidas de conmutación extremadamente bajas con transistores tradicionales de potencia de clase 1200 V. El diseño robusto de este primer MOSFET de SiC se adapta a una amplia gama de aplicaciones de alta temperatura. Los disipadores de calor más pequeños y una mayor densidad de energía crean una mayor eficiencia y menor filtro pasivo y densidad de energía mayor para crear frecuencias de conmutación más altas. El dispositivo tiene un tamaño más pequeño de molde según el voltaje/corriente nominal.
| Características | ||
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| Aplicaciones | ||
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Silicon Carbide (SiC) Ultra-Fast Switching MOSFET
| Imagen | Número de pieza del fabricante | Descripción | Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) | Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC | Cantidad disponible | Precio | Ver detalles | |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |  | LSIC1MO120E0080 | SICFET N-CH 1200V 39A TO247-3 | 1200 V | 39A (Tc) | 369 - Inmediata | $18.94 | Ver detalles |
| LSIC1MO120E0120 | SICFET N-CH 1200V 27A TO247-3 | 1200 V | 27A (Tc) | 0 - Inmediata | See Page for Pricing | Ver detalles | |
| | LSIC1MO120E0160 | SICFET N-CH 1200V 22A TO247-3 | 1200 V | 22A (Tc) | 2227 - Inmediata 1800 - Stock en fábrica | $12.49 | Ver detalles |
Publicado: 2018-01-05
España