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La solución de referencia EPC91107KIT + EPC91110KIT de CA GaN de 5 kW a 48 V/50 V de EPC funciona con GaN: EPC2304 (200 V, 5 mΩ) en PFC y EPC2305 (150 V, 3 mΩ) en LLC
IC de etapa ePower™ serie EPC23102
Fecha de publicación: 2025-09-03
El CI de etapa ePower™ serie EPC23102 de EPC ofrece un mayor rendimiento y una solución de menor tamaño para aplicaciones de alta densidad de potencia.
La placa de evaluación ultracompacta EPC91109 de EPC es ideal para USB PD 3.1, computadoras portátiles, equipos alimentados por batería y dispositivos electrónicos portátiles de hasta 180 W.
Placa de evaluación del inversor del motor trifásico EPC9196
Fecha de publicación: 2025-06-24
Las placas de evaluación del inversor de accionamiento de motor trifásico EPC9196 de EPC son compatibles con las placas controladoras de terceros y cuentan con detección de corriente, voltaje y temperatura integrada.
Placa de demostración EPC91116
Fecha de publicación: 2025-05-27
La placa de demostración EPC91116 de EPC cuenta con un generador de pulso estrecho opcional para simplificar el funcionamiento con los generadores de pulsos y funciones típicos.
Seminario web: máxima eficiencia y potencia con GaN
Este seminario web presenta una serie de diseños de referencia conjuntos basados en GaN que presentan una potencia de salida inigualable, eficiencia térmica y espacio reducido en la placa.
FET de GaN en paquetes PQFN
Fecha de publicación: 2025-04-10
Los FET de GaN de EPC en paquetes PQFN son perfectos para aplicaciones exigentes como accionamientos de motores, robótica e informática de alto rendimiento.
This video discusses the EPC2152 Integrated ePower Stage by EPC, a single-chip driver and half-bridge power stage. It offers fast switching, robust transient handling, and a compact design for high-frequency power applications.
Placa inversora de accionamiento de motor EPC91200
Fecha de publicación: 2025-02-11
EPC91200 de EPC es una placa inversora de accionamiento de motor BLDC trifásica que cuenta con el voltaje máximo del dispositivo EPC2305 eGaN de 150 V destinado a baterías de 96 V.
Comprender el papel de los controladores, interruptores y diodos láser para un rendimiento LiDAR eficaz
Fecha de publicación: 2025-02-06
Los componentes electroópticos son el núcleo del LiDAR, que utiliza impulsos láser para crear una "nube de puntos" tridimensional del entorno.
At electronica 2024, in the DigiKey booth, Caitlin Gittins speaks with Alex Lidow, CEO, EPC about GaN and the future of untethered robots.
Placa de evaluación de convertidores reductores/elevadores síncronos EPC91106
Fecha de publicación: 2024-12-31
La placa de evaluación del convertidores reductores/elevadores síncronos EPC91106 de alta densidad de potencia y bajo perfil es una solución completa de convertidor de potencia que cabe en 21 mm x 13 mm.
Controlador de chip único de etapa ePower™ integrado EPC2152 de 80 V y 12,5 A
Actualizado: 2024-12-23
La serie EPC2152 de 80 V y 12,5 A ePower™ integrado de EPC es un controlador de un solo chip más la etapa de potencia de medio puente FET eGaN® que mide 3,9 mm x 2,6 mm x 0,8 mm.
FET de GaN de 40 V y 2.25 mΩ de la serie EPC2069
Fecha de publicación: 2024-12-10
Los FET de GaN de corriente pulsada EPC EPC2069 ofrecen a los diseñadores un dispositivo más pequeño y eficiente que los MOSFET de silicio para aplicaciones de alto rendimiento y espacio limitado.
uP1966E: controlador de compuerta de medio puente de 80 V para transistores de efecto de campo (FET) de GaN
Fecha de publicación: 2024-10-08
El uP1966E, comercializado por EPC, está diseñado para accionar FET de GaN de lado alto y lado bajo en topologías de medio puente, y funciona a varios MHz en ambos canales.
Unlocking the power of GaN
Our experts from Microchip and EPC will provide valuable insights into the technical advantages and practical applications of GaN-based high power density solutions.
Seminario web - Descubrir el poder de GaN
Aprenda a incorporar la tecnología GaN de alta densidad de potencia a sus aplicaciones en este seminario web.
FET de GaN de 50 V y 8,5 mΩ serie EPC2057
Fecha de publicación: 2024-07-01
El transistor de efecto de campo (FET) de GaN serie EPC2057 de EPC está diseñado para dispositivos USB-C® de alta potencia, incluidos los utilizados en electrónica de consumo, carga en automóviles y movilidad electrónica.
Placa de evaluación del amplificador de clase D EPC9192KIT
Fecha de publicación: 2024-05-06
La placa de evaluación del amplificador de clase D EPC9192KIT es ideal para aplicaciones de audio profesional, audio doméstico y audio para transporte.
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