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DRAM con código de corrección de errores (ECC) en chip
Fecha de publicación: 2025-03-10
Las DRAM ISSI con código de corrección de errores (ECC) en chip simplifican los diseños de sistemas, ahorran potencia y reducen el espacio de memoria en placa
Los dispositivos de memoria Flash NAND en serie de ISSI ofrecen soluciones compatibles con SPI de alta densidad con soporte x1, x2 y x4, ideales para aplicaciones industriales y automotrices.
ISSI's brochure for their low pin count RAM solutions.
Soluciones de RAM en serie y RAM cuádruple
Fecha de publicación: 2024-04-04
La RAM en serie y la RAM cuádruple de ISSI ofrecen soluciones de RAM de bajo número de pines ideales para aplicaciones médicas y portátiles.
ISSI's brochure for their serial and quad RAM products.
Today, ISSI offers 3.3V SDRAM, DDR, DDR2, DDR3, as well as Low Power SDRAM, LPDDR and LPDDR2 DRAM.
ISSI's automotive memory solutions.
DRAM heredada con DDR3
Fecha de publicación: 2023-10-12
Las opciones de DRAM DDR3 de ISSI están disponibles en densidades de 1 Gb a 16 Gb con soporte a largo plazo.
ISSI eMMC NAND Flash Memory offers unparalleled performance and endurance, including an enhanced mode that allows configuration as a pseudo-SLC.
Soluciones de memoria octal
Fecha de publicación: 2023-04-13
Los dispositivos Flash y RAM de ISSI compatibles con xSPI de bus octal están pensados para aplicaciones de encendido instantáneo de alto rendimiento.
eMMC Memoria Flash NAND
Fecha de publicación: 2023-03-15
Los dispositivos de memoria Flash NAND eMMC de ISSI admiten un modo mejorado en el que el dispositivo puede configurarse como pseudo-SLC (pSLC) para obtener un mayor rendimiento de lectura/escritura.
ISSI introduces its new Family of IS25LP and IS25WP/WJ series of flash devices. The family builds upon the success of ISSI’s IS25LQ and IS25WQ family by introducing leading edge features such as double data rate* interface modes, SFDP support, and the popular 2 cycle instruction input.
The ISSI LPDDR4 and LPDDR4X are low-voltage memory devices available in 2, 4, and 8 gigabit densities. The devices are organized as one or two channels per device where each channel is eight banks and 16-bits.
Los diseñadores pueden implementar rápidamente la monitorización de la ocupación utilizando un kit de instalación directa basado en un algoritmo propio que se ejecuta en un procesador de señal digital de bajo consumo.
Un procesador especializado y una biblioteca de software ofrecen una alternativa más sencilla y segura para la autenticación basada en el rostro.
SDRAM móviles LPDDR4/4X
Fecha de publicación: 2020-08-14
Las SDRAM móviles LPDDR4/4X de ISSI utilizan una arquitectura de doble velocidad de datos para lograr operaciones de alta velocidad y están disponibles en densidades de 2 Gb, 4 Gb y 8 Gb.
Use RISC-V para personalizar el hardware y el conjunto de instrucciones a fin de obtener el perfil de energía óptimo para un sistema integrado.
Comprenda los aspectos fundamentales de las memorias integradas (EEPROM, memoria FRAM, memoria eMMC y tarjetas SD) para saber cuáles usar, y dónde y cómo usarlas.
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