SDRAM móviles LPDDR4/4X

ISSI ofrece las series LPDDR4 y LPDDR4X que son dispositivos de memoria de bajo voltaje disponibles en densidades de 2 Gb, 4 Gb y 8 Gb. Los dispositivos están organizados como 1/2 canales por dispositivo y cada canal tiene ocho bancos y 16 bits. LPDDR4 y LPDDR4X utilizan una arquitectura de doble velocidad de datos para lograr un funcionamiento a alta velocidad. La arquitectura de doble velocidad de datos es esencialmente una arquitectura con captación previa de16N con una interfaz diseñada para transferir dos palabras de datos por ciclo de reloj en los pines de E/S.

LPDDR4 y LPDDR4X ofrecen operaciones totalmente síncronas referenciadas tanto a los flancos ascendentes como descendentes del reloj. Las rutas de datos están conectadas internamente y están preestablecidos en 16n bits para obtener un ancho de banda muy alto. Tanto LPDDR4 como LPDDR4X cuentan con latencias de lectura y escritura programables en longitudes de ráfagas programables y sobre la marcha. Los núcleos de bajo voltaje y las E/S de estos dispositivos los hacen ideales para aplicaciones móviles.