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IPT059N15N3ATMA1

Hoja de datos
Número de pieza de Digi-Key IPT059N15N3ATMA1TR-ND
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Fabricante

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Número de pieza del fabricante IPT059N15N3ATMA1
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Descripción MOSFET N-CH 150V 155A 8HSOF
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Plazo estándar del fabricante 18 semanas
Descripción detallada

Canal N Montaje en superficie 150V 155 A (Tc) 375W (Tc) PG-HSOF-8-1

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Documentos y medios
Hojas de datos IPT059N15N3 Preliminary
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Atributos del producto
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Categorías
Fabricante Infineon Technologies
Serie OptiMOS™
Empaquetado Cinta y rollo (TR) 
Estado de la pieza Activo
Tipo FET Canal N
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 150V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 155 A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 8V, 10V
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 5.9mOhm a 150A, 10V
Vgs(th) (máx.) en Id 4V a 270µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 92nC @ 10V
Vgs (máx.) ±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 7200pF @ 75V
Característica de FET -
Disipación de potencia (máx.) 375W (Tc)
Temperatura de operación -55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor PG-HSOF-8-1
Paquete / Caja (carcasa) 8-PowerSFN
 
Clasificaciones medioambientales y de exportación
Estado RoHS Cumple con RoHS3
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
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Recursos adicionales
Envase estándar 2.000
Otros nombres IPT059N15N3
IPT059N15N3ATMA1TR
SP001100162