Name: IPT012N08N5ATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: IPT012N08N5ATMA1TR-ND
Price: 8.7241 EUR
Availability: InStock

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IPT012N08N5ATMA1
N.º de producto de DigiKey	IPT012N08N5ATMA1TR-ND - Cinta y rollo (TR) IPT012N08N5ATMA1CT-ND - Cinta cortada (CT) IPT012N08N5ATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	Infineon Technologies
Número de pieza del fabricante	IPT012N08N5ATMA1
Descripción	MOSFET N-CH 80V 300A 8HSOF
Plazo estándar del fabricante	23 semanas
Referencia del cliente
Descripción detallada	Canal N Montaje en superficie 80 V 300H (Tc) 375W (Tc) PG-HSOF-8-1
Hoja de datos	Hoja de datos
Modelos EDA/CAD	IPT012N08N5ATMA1 Modelos

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Categoría Productos de semiconductores discretos Transistores FET, MOSFET FET simple, MOSFET	Vgs(th) (máx) a Id 3.8V a 280µA
Fabricante Infineon Technologies	Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 223 nC @ 10 V
Serie OptiMOS™	Vgs (máx.) ±20V
Embalaje Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 17000 pF @ 40 V
Estado de pieza Activo	Disipación de potencia (Máx.) 375W (Tc)
Tipo FET Canal N	Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 175°C (TJ)
Tecnología MOSFET (óxido de metal)	Tipo de montaje Montaje en superficie
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 80 V	Paquete del dispositivo del proveedor PG-HSOF-8-1
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC 300H (Tc)	Paquete / Caja (carcasa) 8-PowerSFN
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 6V, 10V	Número de producto base IPT012
Rds On (máx) @ Id, Vgs 1.2mOhm a 150A, 10V