VideoLibrary

How to GaN - 05: GaN Design Basics – Layout

Basics of GaN design layout. Optimal layout techniques.

6/12/2020 7:56:04 PM

Part List

ImagenNúmero de pieza del fabricanteDescripciónCantidad disponiblePrecioVer detalles
MOSFET 2N-CH 100V 1.7A DIEEPC2106MOSFET 2N-CH 100V 1.7A DIE13595 - Inmediata$2.66Ver detalles
MOSFET 2N-CH 120V 3.4A DIEEPC2110MOSFET 2N-CH 120V 3.4A DIE12030 - Inmediata$3.20Ver detalles
MOSFET 3N-CH 60V/100V 9BGAEPC2108MOSFET 3N-CH 60V/100V 9BGA636 - Inmediata$2.56Ver detalles
MOSFET 2N-CH 30V 16A DIEEPC2111MOSFET 2N-CH 30V 16A DIE16157 - Inmediata$4.34Ver detalles
MOSFET 2N-CH 60V 9.5A/38A DIEEPC2101MOSFET 2N-CH 60V 9.5A/38A DIE563 - Inmediata$10.76Ver detalles
MOSFET 2N-CH 60V 23A DIEEPC2102MOSFET 2N-CH 60V 23A DIE1397 - Inmediata$10.35Ver detalles
MOSFET 2N-CH 80V 28A DIEEPC2103MOSFET 2N-CH 80V 28A DIE4057 - Inmediata$10.76Ver detalles
MOSFET 2N-CH 100V 23A DIEEPC2104MOSFET 2N-CH 100V 23A DIE2638 - Inmediata$10.35Ver detalles

Related Videos

EPC 2024 electronica interview: GaN and the future of untethered robots
EPC 2024 electronica interview: GaN and the future of untethered robots

Fecha de publicación: 2025-01-29

Gallium Nitride Reliability in Real-World DC-DC Applications
Gallium Nitride Reliability in Real-World DC-DC Applications

Fecha de publicación: 2023-08-31

Gallium Nitride Reliability in Real-World Space Applications Webinar
Gallium Nitride Reliability in Real-World Space Applications Webinar

Fecha de publicación: 2023-08-31

Related Product Highlight

Medio puente de transistor eGaN® de 30 V serie EPC2111 El medio puente eGaN® serie EPC2111 de EPC permite una eficiencia del sistema de 12 V a 1,8 V superior al 85% a 5 MHz a una salida de 14 A, lo que reduce los costos para los sistemas de conversión de energía del usuario final.
Medio puente EPC2106 El medio puente EPC2106 de EPC tiene una conversión de energía de alta eficiencia en un epacio reducido.
Semiconductores de GaN Los semiconductores de GaN de EPC están diseñados específicamente para aplicaciones de transferencia de energía inalámbrica resonante, lo que permite el diseño rápido de sistemas de uso final altamente eficientes.

Related Articles and Blogs

Los semiconductores de banda prohibida impulsan la eficiencia de los centros de datos Dado que los centros de datos tienen enormes necesidades energéticas, se necesitan soluciones de alimentación que puedan reducir las pérdidas de energía, aumentar la eficiencia y mejorar el control térmico.
Los semiconductores de banda prohibida reconfiguran el mundo del transporte Todo el sector del transporte está experimentando una transformación radical con soluciones para coches eléctricos e híbridos y un transporte de masas más limpio.
Recursos y productos de potencia de GaN disponibles en DigiKey El GaN está incursionando en el diseño de energía. Este blog proporciona algunos antecedentes y algunos recursos y productos de GaN relevantes disponibles actualmente en DigiKey.