EPC presenta el medio puente eGaN de 30 V, EPC2111, que integra dos FET de potencia eGaN en un solo dispositivo, lo que aumenta la eficiencia y la densidad de potencia al tiempo que reduce los costos de ensamblaje de los sistemas de conversión de potencia del usuario final. El EPC2111 viene en un paquete a escala de chip para mejorar la velocidad de conmutación y el rendimiento térmico, y tiene solo 3,5 mm x 1,5 mm para una mayor densidad de potencia. Una aplicación principal para este dispositivo es para computadoras portátiles y tabletas. La capacidad de alta frecuencia de GaN reduce el tamaño requerido para la conversión de energía y, por lo tanto, puede generar reducciones significativas de tamaño de los dispositivos informáticos móviles de próxima generación.
Características
- Capacidad de alta frecuencia
- La integración monolítica elimina las inductancias de interconexión para una mayor eficiencia a mayor frecuencia.
- Alta eficiencia
- Menos pérdidas de conducción y de conmutación, cero pérdidas de recuperación inversa
- Espacio pequeño
- Matriz pasivada de montaje en superficie BGA de 3,5 mm x 1,55 mm, extremadamente pequeña, de baja inductancia
Aplicaciones
- Conversión de potencia CC/CC de alta frecuencia
- Computadoras portátiles y tabletas
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Producto del mercado
EPC presenta el medio puente eGaN de 30 V, EPC2111, que integra dos FET de potencia eGaN en un solo dispositivo, lo que aumenta la eficiencia y la densidad de potencia al tiempo que reduce los costos de ensamblaje de los sistemas de conversión de potencia del usuario final. El EPC2111 viene en un paquete a escala de chip para mejorar la velocidad de conmutación y el rendimiento térmico, y tiene solo 3,5 mm x 1,5 mm para una mayor densidad de potencia. Una aplicación principal para este dispositivo es para computadoras portátiles y tabletas. La capacidad de alta frecuencia de GaN reduce el tamaño requerido para la conversión de energía y, por lo tanto, puede generar reducciones significativas de tamaño de los dispositivos informáticos móviles de próxima generación.
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