Módulos del controlador de potencia

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1.110Resultados

Demostración
de 1.110
Número de parte del fabricante
Cantidad disponible
Precio
Serie
Paquete
Estado del producto
Tipo
Configuración
Corriente
Voltaje
Voltaje - Aislamiento
Grado
Calificación
Tipo de montaje
Paquete / Caja (carcasa)
573
En stock
1 : 16,72000 €
Tubo
Tubo
Activo
IGBT
Trifásico
30 A
600 V
2000Vrms
-
-
Orificio pasante
-
STK541UC62K-E
IGBT IPM 600V 10A 23-PWRSIP MOD
onsemi
293
En stock
1 : 20,15000 €
Tubo
-
Tubo
No para diseños nuevos
IGBT
Trifásico
10 A
600 V
2000Vrms
-
-
Orificio pasante
Módulo 23-PowerSIP, 19 conductores, conductores formados
52 VQFN
MOSFET IPM 650V 55A 52-VQFN
Texas Instruments
281
En stock
1 : 22,32000 €
Cinta cortada (CT)
2.000 : 11,17793 €
Cinta y rollo (TR)
-
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
MOSFET
Inversor de medio puente
55 A
650 V
-
-
-
Montaje en superficie
Placa descubierta 52-VQFN
LMG3526R030RQST
MOSFET IPM 650V 55A 52-VQFN
Texas Instruments
250
En stock
1 : 30,67000 €
Cinta cortada (CT)
250 : 21,16100 €
Cinta y rollo (TR)
-
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
MOSFET
Inversor de medio puente
55 A
650 V
-
Uso automotriz
AEC-Q100
Montaje en superficie, lateral humedecible
Placa descubierta 52-VQFN
CIPOS-Mini_24
MOSFET IPM 1.2KV 35A 24-PWRDIP
Infineon Technologies
240
En stock
1 : 74,80000 €
Tubo
Tubo
No para diseños nuevos
MOSFET
Inversor trifásico
35 A
1.2 kV
2500Vrms
-
-
Orificio pasante
Módulo 24-PowerDIP (1.094", 27.80mm)
39-VFQFN
MOSFET IPM 30V 70A 39-PWRVFQFN
onsemi
2.679
En stock
1 : 4,35000 €
Cinta cortada (CT)
3.000 : 1,59749 €
Cinta y rollo (TR)
-
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
MOSFET
1 fase
70 A
30 V
-
-
-
Montaje en superficie
39-PowerVFQFN
30-QFN
MOSFET IPM 650V 12A 30-PWRVQFN
Navitas Semiconductor, Inc.
3.656
En stock
1 : 5,08000 €
Cinta cortada (CT)
5.000 : 2,81071 €
Cinta y rollo (TR)
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
MOSFET
Medio puente
12 A
650 V
-
-
-
Montaje en superficie
30-PowerVQFN
FSB50550AS
IPM SPM5 V4 RC 600V 4A
onsemi
822
En stock
1 : 6,87000 €
Cinta cortada (CT)
450 : 4,19784 €
Cinta y rollo (TR)
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
IGBT
Inversor trifásico
4 A
600 V
1500Vrms
-
-
Montaje en superficie
-
30-QFN
MOSFET IPM 650V 20A 30-PWRVQFN
Navitas Semiconductor, Inc.
2.856
En stock
1 : 7,44000 €
Cinta cortada (CT)
5.000 : 4,25629 €
Cinta y rollo (TR)
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
MOSFET
Medio puente
20 A
650 V
-
-
-
Montaje en superficie
30-PowerVQFN
241
En stock
1 : 7,48000 €
Tubo
-
Tubo
No para diseños nuevos
IGBT
Inversor trifásico
5 A
600 V
2000Vrms
-
-
Orificio pasante
Módulo 23-PowerDIP (0.748", 19.00mm)
24-PowerDIP Module (1.028", 26.10mm)
IGBT IPM 650V 30A 24-PWRDIP MOD
Infineon Technologies
115
En stock
1 : 8,13000 €
Bandeja
Bandeja
Activo
IGBT
Inversor trifásico
30 A
650 V
2000Vrms
-
-
Orificio pasante
Módulo 24-PowerDIP (1.028", 26.10mm)
CIPOS Series
IGBT IPM 600V 10A 24-PWRDIP MOD
Infineon Technologies
234
En stock
1 : 8,92000 €
Tubo
Tubo
No para diseños nuevos
IGBT
Trifásico
10 A
600 V
2000Vrms
-
-
Orificio pasante
Módulo 24-PowerDIP (1.028", 26.10mm)
CIPOS Series
IGBT IPM 600V 10A 24-PWRDIP MOD
Infineon Technologies
321
En stock
1 : 9,02000 €
Tubo
Tubo
No para diseños nuevos
IGBT
Trifásico
10 A
600 V
2000Vrms
-
-
Orificio pasante
Módulo 24-PowerDIP (1.028", 26.10mm)
CIPOS Series
IGBT IPM 600V 15A 24-PWRDIP MOD
Infineon Technologies
397
En stock
1 : 10,03000 €
Tubo
Tubo
No para diseños nuevos
IGBT
Trifásico
15 A
600 V
2000Vrms
-
-
Orificio pasante
Módulo 24-PowerDIP (1.028", 26.10mm)
CIPOS Series
IGBT IPM 600V 15A 24-PWRDIP MOD
Infineon Technologies
337
En stock
1 : 11,10000 €
Tubo
Tubo
Activo
IGBT
Trifásico
15 A
600 V
2000Vrms
-
-
Orificio pasante
Módulo 24-PowerDIP (1.028", 26.10mm)
FNx4x060x2
IGBT IPM 600V 15A 26-PWRDIP MOD
onsemi
989
En stock
1 : 13,26000 €
Tubo
Tubo
No para diseños nuevos
IGBT
Trifásico
15 A
600 V
2000Vrms
-
-
Orificio pasante
Módulo 26-PowerDIP (1.024", 26.00mm)
FNx4x060x2
IGBT IPM 600V 10A 26-PWRDIP MOD
onsemi
247
En stock
1 : 13,26000 €
Tubo
Tubo
Activo
IGBT
Trifásico
10 A
600 V
2000Vrms
-
-
Orificio pasante
Módulo 26-PowerDIP (1.024", 26.00mm)
CIPOS Series
IGBT IPM 600V 20A 24-PWRDIP MOD
Infineon Technologies
120
En stock
1 : 14,90000 €
Tubo
Tubo
Activo
IGBT
Trifásico
20 A
600 V
2000Vrms
-
-
Orificio pasante
Módulo 24-PowerDIP (1.028", 26.10mm)
CIPOS Series
IGBT IPM 600V 30A 24-PWRDIP MOD
Infineon Technologies
2.863
En stock
1 : 15,63000 €
Tubo
Tubo
Activo
IGBT
Trifásico
30 A
600 V
2000Vrms
-
-
Orificio pasante
Módulo 24-PowerDIP (1.028", 26.10mm)
CIPOS Series
IGBT IPM 600V 20A 24-PWRDIP MOD
Infineon Technologies
210
En stock
1 : 15,64000 €
Tubo
Tubo
Última compra
IGBT
Bifásica
20 A
600 V
2000Vrms
-
-
Orificio pasante
Módulo 24-PowerDIP (1.028", 26.10mm)
FND43060T2
IGBT IPM 600V 30A 26-PWRDIP MOD
onsemi
117
En stock
1 : 16,07000 €
Tubo
Tubo
Activo
IGBT
Inversor trifásico
30 A
600 V
2000Vrms
-
-
Orificio pasante
Módulo 26-PowerDIP (1.024", 26.00mm)
CIPOS Series
IGBT IPM 600V 30A 24-PWRDIP MOD
Infineon Technologies
275
En stock
1 : 17,41000 €
Tubo
Tubo
Activo
IGBT
Trifásico
30 A
600 V
2000Vrms
-
-
Orificio pasante
Módulo 24-PowerDIP (1.028", 26.10mm)
CIPOS-Mini_24
MOSFET IPM 600V 20A 24-PWRDIP
Infineon Technologies
153
En stock
1 : 17,63000 €
Tubo
Tubo
Activo
MOSFET
Inversor trifásico
20 A
600 V
2000Vrms
-
-
Orificio pasante
Módulo 24-PowerDIP (1.028", 26.10mm)
38-PowerDIP-Module-24-Leads
IGBT IPM 600V 15A 38-PWRDIP MOD
onsemi
374
En stock
800
Fábrica
1 : 17,88000 €
Tubo
-
Tubo
Activo
IGBT
Inversor trifásico
15 A
600 V
2000Vrms
-
-
Orificio pasante
Módulo 38-PowerDIP (0.610", 24.00mm), 24 conductores
SPM27CC
IGBT IPM 600V 20A 27-PWRDIP MOD
onsemi
224
En stock
1 : 19,47000 €
Tubo
Tubo
Activo
IGBT
Trifásico
20 A
600 V
2500Vrms
-
-
Orificio pasante
Módulo 27-PowerDIP (1.205", 30.60mm)
Demostración
de 1.110

Módulos del controlador de potencia


Los módulos del controlador de potencia proporcionan la contención física para los componentes de potencia, por lo general, IGBT y MOSFET, en configuraciones de medio puente o monofásicas, bifásicas o trifásicas. Los semiconductores de potencia o matrices se sueldan o sinterizan sobre un sustrato que lleva los semiconductores de potencia y proporciona contacto eléctrico y térmico y aislamiento eléctrico donde sea necesario. Los módulos de potencia proporcionan una mayor densidad de potencia y, en muchos casos, son más fiables y fáciles de enfriar.