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Producto del mercado
Foto demostrada es una representación solamente. Datos específicos deben se obtener de las hojas de datos del producto.
CPMF-1200-S080B | |
|---|---|
N.º de producto de DigiKey | CPMF-1200-S080B-ND |
Fabricante | |
Número de pieza del fabricante | CPMF-1200-S080B |
Descripción | SICFET N-CH 1200V 50A DIE |
Referencia del cliente | |
Descripción detallada | Canal N Montaje en superficie 1200 V 50 A (Tj) 313mW (Tj) Molde |
Atributos del producto
Tipo | Descripción | Seleccionar todo |
|---|---|---|
Categoría | ||
Fabricante | ||
Serie | ||
Embalaje | Granel | |
Estado de pieza | Obsoleto | |
Tipo FET | ||
Tecnología | ||
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) | 1200 V | |
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC | ||
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) | 20V | |
Rds On (máx) @ Id, Vgs | 110mOhm a 20A, 20V | |
Vgs(th) (máx) a Id | 4V a 1mA | |
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs | 90.8 nC @ 20 V | |
Vgs (máx.) | +25V, -5V | |
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds | 1915 pF @ 800 V | |
Característica de FET | - | |
Disipación de potencia (Máx.) | 313mW (Tj) | |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
Grado | - | |
Calificación | - | |
Tipo de montaje | Montaje en superficie | |
Paquete del dispositivo del proveedor | Molde | |
Paquete / Caja (carcasa) |
Obsoleto
España