
C3M0025065D | |
|---|---|
N.º de producto de DigiKey | 1697-C3M0025065D-ND |
Fabricante | |
Número de pieza del fabricante | C3M0025065D |
Descripción | GEN 3 650V 25 M SIC MOSFET |
Plazo estándar del fabricante | 22 semanas |
Referencia del cliente | |
Descripción detallada | Canal N Orificio pasante 650 V 97H (Tc) 326W (Tc) TO-247-3 |
Hoja de datos | Hoja de datos |
Modelos EDA/CAD | C3M0025065D Modelos |
Categoría | Vgs(th) (máx) a Id 3.6V a 9.22mA |
Fabricante | Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 108 nC @ 15 V |
Serie | Vgs (máx.) +19V, -8V |
Embalaje Tubo | Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 2980 pF @ 600 V |
Estado de pieza Activo | Disipación de potencia (Máx.) 326W (Tc) |
Tipo FET | Temperatura de funcionamiento -40°C ~ 175°C (TJ) |
Tecnología | Tipo de montaje Orificio pasante |
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 650 V | Paquete del dispositivo del proveedor TO-247-3 |
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC | Paquete / Caja (carcasa) |
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 15V | Número de producto base |
Rds On (máx) @ Id, Vgs 34mOhm a 33.5A, 15V |
| N.° de pieza | Fabricante | Cantidad disponible | N.º de producto de DigiKey | Precio por unidad | Tipo de reemplazo |
|---|---|---|---|---|---|
| IMW65R020M2HXKSA1 | Infineon Technologies | 240 | 448-IMW65R020M2HXKSA1-ND | 15,19000 € | Similar |
| IMW65R026M2HXKSA1 | Infineon Technologies | 415 | 448-IMW65R026M2HXKSA1-ND | 13,39000 € | Similar |
| MSC015SMA070B | Microchip Technology | 191 | 691-MSC015SMA070B-ND | 15,32000 € | Similar |
| Cantidad | Precio por unidad | Precio ext. |
|---|---|---|
| 1 | 12,27000 € | 12,27 € |
| 30 | 7,43900 € | 223,17 € |
| 120 | 6,38175 € | 765,81 € |
| 510 | 5,76543 € | 2.940,37 € |
| Precio unitario sin IVA: | 12,27000 € |
|---|---|
| Precio unitario con IVA: | 14,84670 € |








