Name: SUD50P10-43L-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SUD50P10-43L-GE3TR-ND
Price: 3.2428 EUR
Availability: InStock

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SUD50P10-43L-GE3
N.º de producto de DigiKey	SUD50P10-43L-GE3TR-ND - Cinta y rollo (TR) SUD50P10-43L-GE3CT-ND - Cinta cortada (CT) SUD50P10-43L-GE3DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	Vishay Siliconix
Número de pieza del fabricante	SUD50P10-43L-GE3
Descripción	MOSFET P-CH 100V 37.1A TO252
Plazo estándar del fabricante	15 semanas
Referencia del cliente
Descripción detallada	Canal P Montaje en superficie 100 V 37.1A (Tc) 8.3W (Ta), 136W (Tc) TO-252
Hoja de datos	Hoja de datos

Atributos del producto

Tipo	Descripción	Seleccionar todo
Categoría	Productos de semiconductores discretos Transistores FET, MOSFET FET simple, MOSFET
Fabricante	Vishay Siliconix
Serie	TrenchFET®
Embalaje	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®
Estado de pieza	Activo
Tipo FET	Canal P
Tecnología	MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)	100 V
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC	37.1A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)	4.5V, 10V
Rds On (máx) @ Id, Vgs	43mOhm a 9.2A, 10V
Vgs(th) (máx) a Id	3V a 250µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs	160 nC @ 10 V
Vgs (máx.)	±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds	4600 pF @ 50 V
Característica de FET	-
Disipación de potencia (Máx.)	8.3W (Ta), 136W (Tc)
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 175°C (TJ)
Grado	-
Calificación	-
Tipo de montaje	Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor	TO-252
Paquete / Caja (carcasa)	TO-252-3, DPAK (2 conductores + pestaña), SC-63
Número de producto base	SUD50