Name: SUD19N20-90-E3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SUD19N20-90-E3TR-ND
Price: 4.114 EUR
Availability: InStock

SUD19N20-90-E3
N.º de producto de DigiKey	SUD19N20-90-E3TR-ND - Cinta y rollo (TR) SUD19N20-90-E3CT-ND - Cinta cortada (CT) SUD19N20-90-E3DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	Vishay Siliconix
Número de pieza del fabricante	SUD19N20-90-E3
Descripción	MOSFET N-CH 200V 19A TO252
Plazo estándar del fabricante	38 semanas
Referencia del cliente
Descripción detallada	Canal N Montaje en superficie 200 V 19A (Tc) 3W (Ta), 136W (Tc) TO-252AA
Hoja de datos	Hoja de datos
Modelos EDA/CAD	SUD19N20-90-E3 Modelos

Tipo	Descripción	Seleccionar todo
Categoría	Productos de semiconductores discretos Transistores FET, MOSFET FET simple, MOSFET
Fabricante	Vishay Siliconix
Serie	TrenchFET®
Embalaje	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®
Estado de pieza	Activo
Tipo FET	Canal N
Tecnología	MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)	200 V
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC	19A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)	6V, 10V
Rds On (máx) @ Id, Vgs	90mOhm a 5A, 10V
Vgs(th) (máx) a Id	4V a 250µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs	51 nC @ 10 V
Vgs (máx.)	±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds	1800 pF @ 25 V
Característica de FET	-
Disipación de potencia (Máx.)	3W (Ta), 136W (Tc)
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 175°C (TJ)
Grado	-
Calificación	-
Tipo de montaje	Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor	TO-252AA
Paquete / Caja (carcasa)	TO-252-3, DPAK (2 conductores + pestaña), SC-63
Número de producto base	SUD19

Cantidad	Precio por unidad	Precio ext.
2.000	1,10597 €	2.211,94 €
4.000	1,05175 €	4.207,00 €

Precio unitario sin IVA:	3,40000 €
Precio unitario con IVA:	4,11400 €

SUD19N20-90-E3