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Producto del mercado
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SQJB80EP-T1_GE3 | |
|---|---|
N.º de producto de DigiKey | SQJB80EP-T1_GE3TR-ND - Cinta y rollo (TR) SQJB80EP-T1_GE3CT-ND - Cinta cortada (CT) SQJB80EP-T1_GE3DKR-ND - Digi-Reel® |
Fabricante | |
Número de pieza del fabricante | SQJB80EP-T1_GE3 |
Descripción | MOSFET 2N-CH 80V 30A PPAK SO8 |
Plazo estándar del fabricante | 37 semanas |
Referencia del cliente | |
Descripción detallada | MOSFET - Arreglos 80V 30H (Tc) 48W Montaje en superficie PowerPAK® SO-8 Dual |
Hoja de datos | Hoja de datos |
Modelos EDA/CAD | SQJB80EP-T1_GE3 Modelos |
Atributos del producto
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Categoría | Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 32nC a 10V |
Fabricante Vishay Siliconix | Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 1400pF a 25V |
Serie | Potencia - Máx. 48W |
Embalaje Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel® | Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 175°C (TJ) |
Estado de pieza Activo | Grado Uso automotriz |
Tecnología MOSFET (óxido de metal) | Calificación AEC-Q101 |
Configuración Dos canal N (doble) | Tipo de montaje Montaje en superficie |
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 80V | Paquete / Caja (carcasa) PowerPAK® SO-8 Dual |
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC 30H (Tc) | Paquete del dispositivo del proveedor PowerPAK® SO-8 Dual |
Rds On (máx) @ Id, Vgs 19mOhm a 8A, 10V | Número de producto base |
Vgs(th) (máx) a Id 2.5V a 250µA |
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Recursos adicionales
En stock: 31.429
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Cantidad
Todos los precios se expresan en EUR
Cinta cortada (CT) & Digi-Reel®
| Cantidad | Precio por unidad | Precio ext. |
|---|---|---|
| 1 | 1,70000 € | 1,70 € |
| 10 | 1,07900 € | 10,79 € |
| 100 | 0,72620 € | 72,62 € |
| 500 | 0,57478 € | 287,39 € |
| 1.000 | 0,52605 € | 526,05 € |
Cinta y rollo (TR)
| Cantidad | Precio por unidad | Precio ext. |
|---|---|---|
| 3.000 | 0,46419 € | 1.392,57 € |
| 6.000 | 0,43307 € | 2.598,42 € |
| 9.000 | 0,41722 € | 3.754,98 € |
| 15.000 | 0,40426 € | 6.063,90 € |
| Precio unitario sin IVA: | 1,70000 € |
|---|---|
| Precio unitario con IVA: | 2,05700 € |
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