Name: SQSA12CENW-T1_GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: 742-SQSA12CENW-T1_GE3TR-ND
Price: 1.1374 EUR
Availability: InStock

Foto demostrada es una representación solamente. Datos específicos deben se obtener de las hojas de datos del producto.

SQSA12CENW-T1_GE3
N.º de producto de DigiKey	742-SQSA12CENW-T1_GE3TR-ND - Cinta y rollo (TR) 742-SQSA12CENW-T1_GE3CT-ND - Cinta cortada (CT) 742-SQSA12CENW-T1_GE3DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	Vishay Siliconix
Número de pieza del fabricante	SQSA12CENW-T1_GE3
Descripción	AUTOMOTIVE N-CHANNEL 100 V (D-S)
Plazo estándar del fabricante	27 semanas
Referencia del cliente
Descripción detallada	Canal N Montaje en superficie 100 V 18A (Tc) 62.5W (Tc) PowerPAK® 1212-8W
Hoja de datos	Hoja de datos
Modelos EDA/CAD	SQSA12CENW-T1_GE3 Modelos

Atributos del producto

Tipo	Descripción	Seleccionar todo
Categoría	Productos de semiconductores discretos Transistores FET, MOSFET FET simple, MOSFET
Fabricante	Vishay Siliconix
Serie	TrenchFET®
Embalaje	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®
Estado de pieza	Activo
Tipo FET	Canal N
Tecnología	MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)	100 V
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC	18A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)	4.5V, 10V
Rds On (máx) @ Id, Vgs	22mOhm a 7A, 10V
Vgs(th) (máx) a Id	2.5V a 250µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs	47 nC @ 10 V
Vgs (máx.)	±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds	2900 pF @ 25 V
Característica de FET	-
Disipación de potencia (Máx.)	62.5W (Tc)
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 175°C (TJ)
Grado	Uso automotriz
Calificación	AEC-Q101
Tipo de montaje	Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor	PowerPAK® 1212-8W
Paquete / Caja (carcasa)	PowerPAK® 1212-8W