Name: SQJ460AEP-T1_GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SQJ460AEP-T1_GE3TR-ND
Price: 2.2627 EUR
Availability: InStock

Foto demostrada es una representación solamente. Datos específicos deben se obtener de las hojas de datos del producto.

SQJ460AEP-T1_GE3
N.º de producto de DigiKey	SQJ460AEP-T1_GE3TR-ND - Cinta y rollo (TR) SQJ460AEP-T1_GE3CT-ND - Cinta cortada (CT) SQJ460AEP-T1_GE3DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	Vishay Siliconix
Número de pieza del fabricante	SQJ460AEP-T1_GE3
Descripción	MOSFET N-CH 60V 32A PPAK SO-8
Plazo estándar del fabricante	23 semanas
Referencia del cliente
Descripción detallada	Canal N Montaje en superficie 60 V 32A (Tc) 83W (Tc) PowerPAK® SO-8
Hoja de datos	Hoja de datos
Modelos EDA/CAD	SQJ460AEP-T1_GE3 Modelos

Atributos del producto

Filtrar productos similares

Mostrar atributos vacíos

Categoría Productos de semiconductores discretos Transistores FET, MOSFET FET simple, MOSFET	Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 106 nC @ 10 V
Fabricante Vishay Siliconix	Vgs (máx.) ±20V
Embalaje Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 4795 pF @ 25 V
Estado de pieza Activo	Disipación de potencia (Máx.) 83W (Tc)
Tipo FET Canal N	Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 175°C (TJ)
Tecnología MOSFET (óxido de metal)	Grado Uso automotriz
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 60 V	Calificación AEC-Q101
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC 32A (Tc)	Tipo de montaje Montaje en superficie
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 4.5V, 10V	Paquete del dispositivo del proveedor PowerPAK® SO-8
Rds On (máx) @ Id, Vgs 9.6mOhm a 18A, 10V	Paquete / Caja (carcasa) PowerPAK® SO-8
Vgs(th) (máx) a Id 2.5V a 250µA	Número de producto base SQJ460