Name: SQ3460EV-T1_GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: 742-SQ3460EV-T1_GE3TR-ND
Price: 1.694 EUR
Availability: InStock

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SQ3460EV-T1_GE3
N.º de producto de DigiKey	742-SQ3460EV-T1_GE3TR-ND - Cinta y rollo (TR) 742-SQ3460EV-T1_GE3CT-ND - Cinta cortada (CT) 742-SQ3460EV-T1_GE3DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	Vishay Siliconix
Número de pieza del fabricante	SQ3460EV-T1_GE3
Descripción	MOSFET N-CH 20V 8A 6TSOP
Plazo estándar del fabricante	23 semanas
Referencia del cliente
Descripción detallada	Canal N Montaje en superficie 20 V 8A (Tc) 3.6W (Tc) 6-TSOP
Hoja de datos	Hoja de datos
Modelos EDA/CAD	SQ3460EV-T1_GE3 Modelos

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Categoría Productos de semiconductores discretos Transistores FET, MOSFET FET simple, MOSFET	Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 14 nC @ 4.5 V
Fabricante Vishay Siliconix	Vgs (máx.) ±8V
Serie TrenchFET®	Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 1060 pF @ 10 V
Embalaje Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Disipación de potencia (Máx.) 3.6W (Tc)
Estado de pieza Activo	Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo FET Canal N	Grado Uso automotriz
Tecnología MOSFET (óxido de metal)	Calificación AEC-Q101
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 20 V	Tipo de montaje Montaje en superficie
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC 8A (Tc)	Paquete del dispositivo del proveedor 6-TSOP
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 1.8V, 4.5V	Paquete / Caja (carcasa) SOT-23-6 delgado, TSOT-23-6
Rds On (máx) @ Id, Vgs 30mOhm a 5.1A, 4.5V	Número de producto base SQ3460
Vgs(th) (máx) a Id 1V a 250µA