Name: SQ2325ES-T1_GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: 742-SQ2325ES-T1_GE3TR-ND
Price: 0.8107 EUR
Availability: InStock

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SQ2325ES-T1_GE3
N.º de producto de DigiKey	742-SQ2325ES-T1_GE3TR-ND - Cinta y rollo (TR) 742-SQ2325ES-T1_GE3CT-ND - Cinta cortada (CT) 742-SQ2325ES-T1_GE3DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	Vishay Siliconix
Número de pieza del fabricante	SQ2325ES-T1_GE3
Descripción	MOSFET P-CH 150V 840MA TO236
Plazo estándar del fabricante	17 semanas
Referencia del cliente
Descripción detallada	Canal P Montaje en superficie 150 V 840mA (Tc) 3W (Tc) SOT-23-3 (TO-236)
Hoja de datos	Hoja de datos
Modelos EDA/CAD	SQ2325ES-T1_GE3 Modelos

Atributos del producto

Tipo	Descripción	Seleccionar todo
Categoría	Productos de semiconductores discretos Transistores FET, MOSFET FET simple, MOSFET
Fabricante	Vishay Siliconix
Serie	TrenchFET®
Embalaje	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®
Estado de pieza	Activo
Tipo FET	Canal P
Tecnología	MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)	150 V
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC	840mA (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)	10V
Rds On (máx) @ Id, Vgs	1.77Ohm a 500mA, 10V
Vgs(th) (máx) a Id	3.5V a 250µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs	10 nC @ 10 V
Vgs (máx.)	±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds	250 pF @ 50 V
Característica de FET	-
Disipación de potencia (Máx.)	3W (Tc)
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 175°C (TA)
Grado	Uso automotriz
Calificación	AEC-Q101
Tipo de montaje	Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor	SOT-23-3 (TO-236)
Paquete / Caja (carcasa)	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Número de producto base	SQ2325