SQ2315ES-T1_GE3 Vishay Siliconix | FET simple, MOSFET

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SQ2315ES-T1_GE3
N.º de producto de DigiKey	SQ2315ES-T1_GE3TR-ND - Cinta y rollo (TR) SQ2315ES-T1_GE3CT-ND - Cinta cortada (CT) SQ2315ES-T1_GE3DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	Vishay Siliconix
Número de pieza del fabricante	SQ2315ES-T1_GE3
Descripción	MOSFET P-CH 12V 5A SOT23-3
Referencia del cliente
Descripción detallada	Canal P Montaje en superficie 12 V 5A (Tc) 2W (Tc) SOT-23-3 (TO-236)
Hoja de datos	Hoja de datos

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Categoría Productos de semiconductores discretos Transistores FET, MOSFET FET simple, MOSFET	Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 13 nC @ 4.5 V
Fabricante Vishay Siliconix	Vgs (máx.) ±8V
Serie TrenchFET®	Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 870 pF @ 4 V
Embalaje Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Disipación de potencia (Máx.) 2W (Tc)
Estado de pieza Obsoleto	Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo FET Canal P	Grado Uso automotriz
Tecnología MOSFET (óxido de metal)	Calificación AEC-Q101
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 12 V	Tipo de montaje Montaje en superficie
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC 5A (Tc)	Paquete del dispositivo del proveedor SOT-23-3 (TO-236)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 1.8V, 4.5V	Paquete / Caja (carcasa) TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Rds On (máx) @ Id, Vgs 50mOhm a 3.5A, 10V	Número de producto base SQ2315
Vgs(th) (máx) a Id 1V a 250µA

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Documentos y medios

Clasificaciones medioambientales y de exportación

Recursos adicionales

Sustitutos (2)

N.° de pieza	Fabricante	Cantidad disponible	N.º de producto de DigiKey	Precio por unidad	Tipo de reemplazo
SQ2315ES-T1_BE3	Vishay Siliconix	3.000	742-SQ2315ES-T1_BE3CT-ND	0,78000 €	Directo
SQ2315CES-T1_GE3	Vishay Siliconix	0	742-SQ2315CES-T1_GE3CT-ND	0,54000 €	MFR recomendado