Name: SQ2315CES-T1_GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: 742-SQ2315CES-T1_GE3TR-ND
Price: 0.6534 EUR
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Vishay Siliconix

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SQ2315CES-T1_GE3
N.º de producto de DigiKey	742-SQ2315CES-T1_GE3TR-ND - Cinta y rollo (TR) 742-SQ2315CES-T1_GE3CT-ND - Cinta cortada (CT) 742-SQ2315CES-T1_GE3DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	Vishay Siliconix
Número de pieza del fabricante	SQ2315CES-T1_GE3
Descripción	MOSFET P-CH 12V 5A SOT23-3
Plazo estándar del fabricante	24 semanas
Referencia del cliente
Descripción detallada	Canal P Montaje en superficie 12 V 5A (Tc) 2W (Tc) SOT-23-3 (TO-236)
Hoja de datos	Hoja de datos
Modelos EDA/CAD	SQ2315CES-T1_GE3 Modelos

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Categoría Productos de semiconductores discretos Transistores FET, MOSFET FET simple, MOSFET	Vgs(th) (máx) a Id 1V a 250µA
Fabricante Vishay Siliconix	Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 13 nC @ 4.5 V
Serie TrenchFET®	Vgs (máx.) ±8V
Embalaje Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 870 pF @ 6 V
Estado de pieza Activo	Disipación de potencia (Máx.) 2W (Tc)
Tipo FET Canal P	Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 175°C (TJ)
Tecnología MOSFET (óxido de metal)	Grado Uso automotriz
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 12 V	Calificación AEC-Q101
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC 5A (Tc)	Tipo de montaje Montaje en superficie
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 1.8V, 4.5V	Paquete del dispositivo del proveedor SOT-23-3 (TO-236)
Rds On (máx) @ Id, Vgs 50mOhm a 3.5A, 4.5V	Paquete / Caja (carcasa) TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

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N.° de pieza	Fabricante	Cantidad disponible	N.º de producto de DigiKey	Precio por unidad	Tipo de reemplazo
SQ2315ES-T1_BE3	Vishay Siliconix	2.990	742-SQ2315ES-T1_BE3CT-ND	0,78000 €	Equivalente paramétrico

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