Name: SISS5623DN-T1-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: 742-SISS5623DN-T1-GE3TR-ND
Price: 2.7346 EUR
Availability: InStock

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SISS5623DN-T1-GE3
N.º de producto de DigiKey	742-SISS5623DN-T1-GE3TR-ND - Cinta y rollo (TR) 742-SISS5623DN-T1-GE3CT-ND - Cinta cortada (CT) 742-SISS5623DN-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	Vishay Siliconix
Número de pieza del fabricante	SISS5623DN-T1-GE3
Descripción	P-CHANNEL 60 V (D-S) MOSFET POWE
Plazo estándar del fabricante	55 semanas
Referencia del cliente
Descripción detallada	Canal P Montaje en superficie 60 V 10.5H (Ta), 36.3H (Tc) 4.8W (Ta), 56.8W (Tc) PowerPAK® 1212-8S
Hoja de datos	Hoja de datos
Modelos EDA/CAD	SISS5623DN-T1-GE3 Modelos

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Categoría Productos de semiconductores discretos Transistores FET, MOSFET FET simple, MOSFET	Vgs(th) (máx) a Id 2.6V a 250µA
Fabricante Vishay Siliconix	Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 33 nC @ 10 V
Embalaje Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Vgs (máx.) ±20V
Estado de pieza Activo	Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 1575 pF @ 30 V
Tipo FET Canal P	Disipación de potencia (Máx.) 4.8W (Ta), 56.8W (Tc)
Tecnología MOSFET (óxido de metal)	Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 60 V	Tipo de montaje Montaje en superficie
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC 10.5H (Ta), 36.3H (Tc)	Paquete del dispositivo del proveedor PowerPAK® 1212-8S
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 4.5V, 10V	Paquete / Caja (carcasa) PowerPAK® 1212-8S
Rds On (máx) @ Id, Vgs 24mOhm a 10A, 10V	Número de producto base SISS5623