
SIS890DN-T1-GE3 | |
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N.º de producto de DigiKey | SIS890DN-T1-GE3TR-ND - Cinta y rollo (TR) SIS890DN-T1-GE3CT-ND - Cinta cortada (CT) SIS890DN-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel® |
Fabricante | |
Número de pieza del fabricante | SIS890DN-T1-GE3 |
Descripción | MOSFET N-CH 100V 30A PPAK1212-8 |
Plazo estándar del fabricante | 42 semanas |
Referencia del cliente | |
Descripción detallada | Canal N Montaje en superficie 100 V 30A (Tc) 3.7W (Ta), 52W (Tc) PowerPAK® 1212-8 |
Hoja de datos | Hoja de datos |
Modelos EDA/CAD | SIS890DN-T1-GE3 Modelos |
Tipo | Descripción | Seleccionar todo |
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Categoría | ||
Fabricante | ||
Serie | ||
Embalaje | Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel® | |
Estado de pieza | Activo | |
Tipo FET | ||
Tecnología | ||
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) | 100 V | |
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC | ||
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) | 4.5V, 10V | |
Rds On (máx) @ Id, Vgs | 23.5mOhm a 10A, 10V | |
Vgs(th) (máx) a Id | 3V a 250µA | |
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs | 29 nC @ 10 V | |
Vgs (máx.) | ±20V | |
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds | 802 pF @ 50 V | |
Característica de FET | - | |
Disipación de potencia (Máx.) | 3.7W (Ta), 52W (Tc) | |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
Grado | - | |
Calificación | - | |
Tipo de montaje | Montaje en superficie | |
Paquete del dispositivo del proveedor | PowerPAK® 1212-8 | |
Paquete / Caja (carcasa) | ||
Número de producto base |
| Cantidad | Precio por unidad | Precio ext. |
|---|---|---|
| 1 | 1,77000 € | 1,77 € |
| 10 | 1,13000 € | 11,30 € |
| 100 | 0,76160 € | 76,16 € |
| 500 | 0,60412 € | 302,06 € |
| 1.000 | 0,55348 € | 553,48 € |
| Cantidad | Precio por unidad | Precio ext. |
|---|---|---|
| 3.000 | 0,48919 € | 1.467,57 € |
| 6.000 | 0,45684 € | 2.741,04 € |
| 9.000 | 0,44036 € | 3.963,24 € |
| 15.000 | 0,43026 € | 6.453,90 € |
| Precio unitario sin IVA: | 1,77000 € |
|---|---|
| Precio unitario con IVA: | 2,14170 € |









