Name: FDMC86102L
Brand: onsemi
SKU: FDMC86102LFSTR-ND
Price: 1.8634 EUR
Availability: InStock

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FDMC86102L
N.º de producto de DigiKey	FDMC86102LFSTR-ND - Cinta y rollo (TR) FDMC86102LFSCT-ND - Cinta cortada (CT) FDMC86102LFSDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	onsemi
Número de pieza del fabricante	FDMC86102L
Descripción	MOSFET N-CH 100V 7A/18A 8MLP
Plazo estándar del fabricante	18 semanas
Referencia del cliente
Descripción detallada	Canal N Montaje en superficie 100 V 7A (Ta), 18A (Tc) 2.3W (Ta), 41W (Tc) 8-MLP (3.3x3.3)
Hoja de datos	Hoja de datos
Modelos EDA/CAD	FDMC86102L Modelos

Atributos del producto

Tipo	Descripción	Seleccionar todo
Categoría	Productos de semiconductores discretos Transistores FET, MOSFET FET simple, MOSFET
Fabricante	onsemi
Serie	PowerTrench®
Embalaje	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®
Estado de pieza	Activo
Tipo FET	Canal N
Tecnología	MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)	100 V
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC	7A (Ta), 18A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)	4.5V, 10V
Rds On (máx) @ Id, Vgs	23mOhm a 7A, 10V
Vgs(th) (máx) a Id	3V a 250µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs	22 nC @ 10 V
Vgs (máx.)	±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds	1330 pF @ 50 V
Característica de FET	-
Disipación de potencia (Máx.)	2.3W (Ta), 41W (Tc)
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Grado	-
Calificación	-
Tipo de montaje	Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor	8-MLP (3.3x3.3)
Paquete / Caja (carcasa)	8-PowerWDFN
Número de producto base	FDMC86102