Name: SIS890ADN-T1-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: 742-SIS890ADN-T1-GE3TR-ND
Price: 1.5851 EUR
Availability: InStock

SIS890ADN-T1-GE3
N.º de producto de DigiKey	742-SIS890ADN-T1-GE3TR-ND - Cinta y rollo (TR) 742-SIS890ADN-T1-GE3CT-ND - Cinta cortada (CT) 742-SIS890ADN-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	Vishay Siliconix
Número de pieza del fabricante	SIS890ADN-T1-GE3
Descripción	MOSFET N-CH 100V 7.6A/24.7A PPAK
Plazo estándar del fabricante	55 semanas
Referencia del cliente
Descripción detallada	Canal N Montaje en superficie 100 V 7.6A (Ta), 24.7A (Tc) 3.6W (Ta), 39W (Tc) PowerPAK® 1212-8
Hoja de datos	Hoja de datos

Tipo	Descripción	Seleccionar todo
Categoría	Productos de semiconductores discretos Transistores FET, MOSFET FET simple, MOSFET
Fabricante	Vishay Siliconix
Serie	-
Embalaje	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®
Estado de pieza	Activo
Tipo FET	Canal N
Tecnología	MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)	100 V
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC	7.6A (Ta), 24.7A (Tc)
Rds On (máx) @ Id, Vgs	25.5mOhm a 10A, 10V
Vgs(th) (máx) a Id	2.5V a 250µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs	29 nC @ 10 V
Vgs (máx.)	±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds	1330 pF @ 50 V
Característica de FET	-
Disipación de potencia (Máx.)	3.6W (Ta), 39W (Tc)
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Grado	-
Calificación	-
Tipo de montaje	Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor	PowerPAK® 1212-8
Paquete / Caja (carcasa)	PowerPAK® 1212-8
Número de producto base	SIS890

Precio unitario sin IVA:	1,31000 €
Precio unitario con IVA:	1,58510 €

SIS890ADN-T1-GE3