Name: SIS606BDN-T1-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SIS606BDN-T1-GE3TR-ND
Price: 2.541 EUR
Availability: InStock

SIS606BDN-T1-GE3
N.º de producto de DigiKey	SIS606BDN-T1-GE3TR-ND - Cinta y rollo (TR) SIS606BDN-T1-GE3CT-ND - Cinta cortada (CT) SIS606BDN-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	Vishay Siliconix
Número de pieza del fabricante	SIS606BDN-T1-GE3
Descripción	MOSFET N-CH 100V 9.4A/35.3A PPAK
Plazo estándar del fabricante	55 semanas
Referencia del cliente
Descripción detallada	Canal N Montaje en superficie 100 V 9.4A (Ta), 35.3A (Tc) 3.7W (Ta), 52W (Tc) PowerPAK® 1212-8
Hoja de datos	Hoja de datos

Tipo	Descripción	Seleccionar todo
Categoría	Productos de semiconductores discretos Transistores FET, MOSFET FET simple, MOSFET
Fabricante	Vishay Siliconix
Serie	TrenchFET® Gen IV
Embalaje	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®
Estado de pieza	Activo
Tipo FET	Canal N
Tecnología	MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)	100 V
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC	9.4A (Ta), 35.3A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)	7.5V, 10V
Rds On (máx) @ Id, Vgs	17.4mOhm a 10A, 10V
Vgs(th) (máx) a Id	4V a 250µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs	30 nC @ 10 V
Vgs (máx.)	±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds	1470 pF @ 50 V
Característica de FET	-
Disipación de potencia (Máx.)	3.7W (Ta), 52W (Tc)
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Grado	-
Calificación	-
Tipo de montaje	Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor	PowerPAK® 1212-8
Paquete / Caja (carcasa)	PowerPAK® 1212-8
Número de producto base	SIS606

Precio unitario sin IVA:	2,10000 €
Precio unitario con IVA:	2,54100 €

SIS606BDN-T1-GE3