Name: SIJH112E-T1-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: 742-SIJH112E-T1-GE3TR-ND
Price: 6.4735 EUR
Availability: InStock

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SIJH112E-T1-GE3
N.º de producto de DigiKey	742-SIJH112E-T1-GE3TR-ND - Cinta y rollo (TR) 742-SIJH112E-T1-GE3CT-ND - Cinta cortada (CT) 742-SIJH112E-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	Vishay Siliconix
Número de pieza del fabricante	SIJH112E-T1-GE3
Descripción	MOSFET N-CH 100V 23A/225A PPAK
Plazo estándar del fabricante	55 semanas
Referencia del cliente
Descripción detallada	Canal N Montaje en superficie 100 V 23A (Ta), 225A (Tc) 3.3W (Ta), 333W (Tc) PowerPAK® 8 x 8
Hoja de datos	Hoja de datos
Modelos EDA/CAD	SIJH112E-T1-GE3 Modelos

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Categoría Productos de semiconductores discretos Transistores FET, MOSFET FET simple, MOSFET	Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 160 nC @ 10 V
Fabricante Vishay Siliconix	Vgs (máx.) ±20V
Embalaje Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 8050 pF @ 50 V
Estado de pieza Activo	Disipación de potencia (Máx.) 3.3W (Ta), 333W (Tc)
Tipo FET Canal N	Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 175°C (TJ)
Tecnología MOSFET (óxido de metal)	Tipo de montaje Montaje en superficie
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 100 V	Paquete del dispositivo del proveedor PowerPAK® 8 x 8
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC 23A (Ta), 225A (Tc)	Paquete / Caja (carcasa) 8-PowerTDFN
Rds On (máx) @ Id, Vgs 2.8mOhm a 20A, 10V	Número de producto base SIJH112
Vgs(th) (máx) a Id 4V a 250µA