


SIHB25N50E-GE3 | |
|---|---|
N.º de producto de DigiKey | 742-SIHB25N50E-GE3-ND |
Fabricante | |
Número de pieza del fabricante | SIHB25N50E-GE3 |
Descripción | MOSFET N-CH 500V 26A TO263 |
Plazo estándar del fabricante | 24 semanas |
Referencia del cliente | |
Descripción detallada | Canal N Montaje en superficie 500 V 26A (Tc) 250W (Tc) TO-263 (D2PAK) |
Hoja de datos | Hoja de datos |
Categoría | Vgs(th) (máx) a Id 4V a 250µA |
Fabricante | Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 86 nC @ 10 V |
Embalaje Tubo | Vgs (máx.) ±30V |
Estado de pieza Activo | Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 1980 pF @ 100 V |
Tipo FET | Disipación de potencia (Máx.) 250W (Tc) |
Tecnología | Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ) |
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 500 V | Tipo de montaje Montaje en superficie |
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC | Paquete del dispositivo del proveedor TO-263 (D2PAK) |
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 10V | Paquete / Caja (carcasa) |
Rds On (máx) @ Id, Vgs 145mOhm a 12A, 10V | Número de producto base |
| Cantidad | Precio por unidad | Precio ext. |
|---|---|---|
| 1 | 4,18000 € | 4,18 € |
| 10 | 2,76400 € | 27,64 € |
| 100 | 1,95940 € | 195,94 € |
| 500 | 1,61602 € | 808,01 € |
| 1.000 | 1,50577 € | 1.505,77 € |
| 2.000 | 1,41312 € | 2.826,24 € |
| 5.000 | 1,38959 € | 6.947,95 € |
| Precio unitario sin IVA: | 4,18000 € |
|---|---|
| Precio unitario con IVA: | 5,05780 € |









