Name: SIHB100N60E-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SIHB100N60E-GE3-ND
Price: 6.4735 EUR
Availability: InStock

Canal N Montaje en superficie 600 V 30A (Tc) 208W (Tc) TO-263 (D2PAK)

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SIHB100N60E-GE3
N.º de producto de DigiKey	SIHB100N60E-GE3-ND
Fabricante	Vishay Siliconix
Número de pieza del fabricante	SIHB100N60E-GE3
Descripción	MOSFET N-CH 600V 30A D2PAK
Plazo estándar del fabricante	24 semanas
Referencia del cliente
Descripción detallada	Canal N Montaje en superficie 600 V 30A (Tc) 208W (Tc) TO-263 (D2PAK)
Hoja de datos	Hoja de datos

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Categoría Productos de semiconductores discretos Transistores FET, MOSFET FET simple, MOSFET	Vgs(th) (máx) a Id 5V a 250µA
Fabricante Vishay Siliconix	Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 50 nC @ 10 V
Serie E	Vgs (máx.) ±30V
Embalaje Tubo	Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 1851 pF @ 100 V
Estado de pieza Activo	Disipación de potencia (Máx.) 208W (Tc)
Tipo FET Canal N	Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)
Tecnología MOSFET (óxido de metal)	Tipo de montaje Montaje en superficie
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 600 V	Paquete del dispositivo del proveedor TO-263 (D2PAK)
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC 30A (Tc)	Paquete / Caja (carcasa) TO-263-3, D2PAK (2 conductores + pestaña), TO-263AB
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 10V	Número de producto base SIHB100
Rds On (máx) @ Id, Vgs 100mOhm a 13A, 10V

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Cantidad

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Tubo

Cantidad	Precio por unidad	Precio ext.
1	5,35000 €	5,35 €
50	2,82140 €	141,07 €
100	2,57700 €	257,70 €
500	2,14922 €	1.074,61 €
1.000	2,01190 €	2.011,90 €
2.000	1,93565 €	3.871,30 €

Paquete estándar del fabricante

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