Name: SIDR510EP-T1-RE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: 742-SIDR510EP-T1-RE3TR-ND
Price: 4.4649 EUR
Availability: InStock

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SIDR510EP-T1-RE3
N.º de producto de DigiKey	742-SIDR510EP-T1-RE3TR-ND - Cinta y rollo (TR) 742-SIDR510EP-T1-RE3CT-ND - Cinta cortada (CT) 742-SIDR510EP-T1-RE3DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	Vishay Siliconix
Número de pieza del fabricante	SIDR510EP-T1-RE3
Descripción	N-CHANNEL 100 V (D-S) 175C MOSFE
Plazo estándar del fabricante	55 semanas
Referencia del cliente
Descripción detallada	Canal N Montaje en superficie 100 V 33H (Ta), 148H (Tc) 7.5W (Ta), 150W (Tc) PowerPAK® SO-8DC
Hoja de datos	Hoja de datos
Modelos EDA/CAD	SIDR510EP-T1-RE3 Modelos

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Categoría Productos de semiconductores discretos Transistores FET, MOSFET FET simple, MOSFET	Rds On (máx) @ Id, Vgs 3.6mOhm a 20A, 10V
Fabricante Vishay Siliconix	Vgs(th) (máx) a Id 4V a 250µA
Serie TrenchFET® Gen V	Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 81 nC @ 10 V
Embalaje Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Vgs (máx.) ±20V
Estado de pieza Activo	Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 4980 pF @ 50 V
Tipo FET Canal N	Disipación de potencia (Máx.) 7.5W (Ta), 150W (Tc)
Tecnología MOSFET (óxido de metal)	Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 175°C (TJ)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 100 V	Tipo de montaje Montaje en superficie
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC 33H (Ta), 148H (Tc)	Paquete del dispositivo del proveedor PowerPAK® SO-8DC
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 7.5V, 10V	Paquete / Caja (carcasa) PowerPAK® SO-8