
SI9933CDY-T1-GE3 | |
|---|---|
N.º de producto de DigiKey | SI9933CDY-T1-GE3TR-ND - Cinta y rollo (TR) SI9933CDY-T1-GE3CT-ND - Cinta cortada (CT) SI9933CDY-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel® |
Fabricante | |
Número de pieza del fabricante | SI9933CDY-T1-GE3 |
Descripción | MOSFET 2P-CH 20V 4A 8SOIC |
Plazo estándar del fabricante | 38 semanas |
Referencia del cliente | |
Descripción detallada | MOSFET - Arreglos 20V 4A 3.1W Montaje en superficie 8-SOIC |
Hoja de datos | Hoja de datos |
Modelos EDA/CAD | SI9933CDY-T1-GE3 Modelos |
Categoría | Rds On (máx) @ Id, Vgs 58mOhm a 4.8A, 4.5V |
Fabricante Vishay Siliconix | Vgs(th) (máx) a Id 1.4V a 250µA |
Serie | Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 26nC a 10V |
Embalaje Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel® | Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 665pF a 10V |
Estado de pieza Activo | Potencia - Máx. 3.1W |
Tecnología MOSFET (óxido de metal) | Temperatura de funcionamiento -50°C ~ 150°C (TJ) |
Configuración Dos canal P (doble) | Tipo de montaje Montaje en superficie |
Característica de FET Compuerta de nivel lógico | Paquete / Caja (carcasa) 8-SOIC (0.154", 3.90mm de ancho) |
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 20V | Paquete del dispositivo del proveedor 8-SOIC |
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC 4A | Número de producto base |
| Cantidad | Precio por unidad | Precio ext. |
|---|---|---|
| 1 | 0,91000 € | 0,91 € |
| 10 | 0,56600 € | 5,66 € |
| 100 | 0,36950 € | 36,95 € |
| 500 | 0,28476 € | 142,38 € |
| 1.000 | 0,25743 € | 257,43 € |
| Cantidad | Precio por unidad | Precio ext. |
|---|---|---|
| 2.500 | 0,22786 € | 569,65 € |
| 5.000 | 0,20956 € | 1.047,80 € |
| 7.500 | 0,20024 € | 1.501,80 € |
| 12.500 | 0,18977 € | 2.372,12 € |
| 17.500 | 0,18357 € | 3.212,48 € |
| 25.000 | 0,17755 € | 4.438,75 € |
| Precio unitario sin IVA: | 0,91000 € |
|---|---|
| Precio unitario con IVA: | 1,10110 € |











