
SI8800EDB-T2-E1 | |
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N.º de producto de DigiKey | SI8800EDB-T2-E1TR-ND - Cinta y rollo (TR) SI8800EDB-T2-E1CT-ND - Cinta cortada (CT) SI8800EDB-T2-E1DKR-ND - Digi-Reel® |
Fabricante | |
Número de pieza del fabricante | SI8800EDB-T2-E1 |
Descripción | MOSFET N-CH 20V 4MICROFOOT |
Plazo estándar del fabricante | 22 semanas |
Referencia del cliente | |
Descripción detallada | Canal N Montaje en superficie 20 V 2A (Ta) 500mW (Ta) 4-Microfoot |
Hoja de datos | Hoja de datos |
Modelos EDA/CAD | SI8800EDB-T2-E1 Modelos |
Tipo | Descripción | Seleccionar todo |
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Categoría | ||
Fabricante | ||
Serie | ||
Embalaje | Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel® | |
Estado de pieza | Activo | |
Tipo FET | ||
Tecnología | ||
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) | 20 V | |
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC | ||
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) | 1.5V, 4.5V | |
Rds On (máx) @ Id, Vgs | 80mOhm a 1A, 4.5V | |
Vgs(th) (máx) a Id | 1V a 250µA | |
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs | 8.3 nC @ 8 V | |
Vgs (máx.) | ±8V | |
Característica de FET | - | |
Disipación de potencia (Máx.) | 500mW (Ta) | |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
Grado | - | |
Calificación | - | |
Tipo de montaje | Montaje en superficie | |
Paquete del dispositivo del proveedor | 4-Microfoot | |
Paquete / Caja (carcasa) | ||
Número de producto base |
Cantidad | Precio por unidad | Precio ext. |
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1 | 0,33000 € | 0,33 € |
10 | 0,25500 € | 2,55 € |
100 | 0,20120 € | 20,12 € |
500 | 0,18320 € | 91,60 € |
1.000 | 0,16808 € | 168,08 € |
Cantidad | Precio por unidad | Precio ext. |
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3.000 | 0,11462 € | 343,86 € |
6.000 | 0,11243 € | 674,58 € |
9.000 | 0,11024 € | 992,16 € |
15.000 | 0,10862 € | 1.629,30 € |
Precio unitario sin IVA: | 0,33000 € |
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Precio unitario con IVA: | 0,39930 € |