Name: SI7852DP-T1-E3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SI7852DP-T1-E3TR-ND
Price: 2.2143 EUR
Availability: InStock

Foto demostrada es una representación solamente. Datos específicos deben se obtener de las hojas de datos del producto.

SI7852DP-T1-E3
N.º de producto de DigiKey	SI7852DP-T1-E3TR-ND - Cinta y rollo (TR) SI7852DP-T1-E3CT-ND - Cinta cortada (CT) SI7852DP-T1-E3DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	Vishay Siliconix
Número de pieza del fabricante	SI7852DP-T1-E3
Descripción	MOSFET N-CH 80V 7.6A PPAK SO-8
Plazo estándar del fabricante	15 semanas
Referencia del cliente
Descripción detallada	Canal N Montaje en superficie 80 V 7.6A (Ta) 1.9W (Ta) PowerPAK® SO-8
Hoja de datos	Hoja de datos
Modelos EDA/CAD	SI7852DP-T1-E3 Modelos

Atributos del producto

Tipo	Descripción	Seleccionar todo
Categoría	Productos de semiconductores discretos Transistores FET, MOSFET FET simple, MOSFET
Fabricante	Vishay Siliconix
Serie	TrenchFET®
Embalaje	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®
Estado de pieza	Activo
Tipo FET	Canal N
Tecnología	MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)	80 V
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC	7.6A (Ta)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)	6V, 10V
Rds On (máx) @ Id, Vgs	16.5mOhm a 10A, 10V
Vgs(th) (máx) a Id	2V a 250µA (mín.)
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs	41 nC @ 10 V
Vgs (máx.)	±20V
Característica de FET	-
Disipación de potencia (Máx.)	1.9W (Ta)
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Grado	-
Calificación	-
Tipo de montaje	Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor	PowerPAK® SO-8
Paquete / Caja (carcasa)	PowerPAK® SO-8
Número de producto base	SI7852