
SI2325DS-T1-E3 | |
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N.º de producto de DigiKey | SI2325DS-T1-E3TR-ND - Cinta y rollo (TR) SI2325DS-T1-E3CT-ND - Cinta cortada (CT) SI2325DS-T1-E3DKR-ND - Digi-Reel® |
Fabricante | |
Número de pieza del fabricante | SI2325DS-T1-E3 |
Descripción | MOSFET P-CH 150V 530MA SOT23-3 |
Plazo estándar del fabricante | 15 semanas |
Referencia del cliente | |
Descripción detallada | Canal P Montaje en superficie 150 V 530mA (Ta) 750mW (Ta) SOT-23-3 (TO-236) |
Hoja de datos | Hoja de datos |
Modelos EDA/CAD | SI2325DS-T1-E3 Modelos |
Tipo | Descripción | Seleccionar todo |
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Categoría | ||
Fabricante | ||
Serie | ||
Embalaje | Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel® | |
Estado de pieza | Activo | |
Tipo FET | ||
Tecnología | ||
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) | 150 V | |
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC | ||
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) | 6V, 10V | |
Rds On (máx) @ Id, Vgs | 1.2Ohm a 500mA, 10V | |
Vgs(th) (máx) a Id | 4.5V a 250µA | |
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs | 12 nC @ 10 V | |
Vgs (máx.) | ±20V | |
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds | 510 pF @ 25 V | |
Característica de FET | - | |
Disipación de potencia (Máx.) | 750mW (Ta) | |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
Grado | - | |
Calificación | - | |
Tipo de montaje | Montaje en superficie | |
Paquete del dispositivo del proveedor | SOT-23-3 (TO-236) | |
Paquete / Caja (carcasa) | ||
Número de producto base |
Cantidad | Precio por unidad | Precio ext. |
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1 | 1,20000 € | 1,20 € |
10 | 0,63000 € | 6,30 € |
100 | 0,51700 € | 51,70 € |
500 | 0,43360 € | 216,80 € |
1.000 | 0,39270 € | 392,70 € |
Cantidad | Precio por unidad | Precio ext. |
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3.000 | 0,34496 € | 1.034,88 € |
6.000 | 0,32229 € | 1.933,74 € |
9.000 | 0,31095 € | 2.798,55 € |
Precio unitario sin IVA: | 1,20000 € |
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Precio unitario con IVA: | 1,45200 € |