
SI4936CDY-T1-GE3 | |
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N.º de producto de DigiKey | SI4936CDY-T1-GE3TR-ND - Cinta y rollo (TR) SI4936CDY-T1-GE3CT-ND - Cinta cortada (CT) SI4936CDY-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel® |
Fabricante | |
Número de pieza del fabricante | SI4936CDY-T1-GE3 |
Descripción | MOSFET 2N-CH 30V 5.8A 8SOIC |
Plazo estándar del fabricante | 24 semanas |
Referencia del cliente | |
Descripción detallada | MOSFET - Arreglos 30V 5.8A 2.3W Montaje en superficie 8-SOIC |
Hoja de datos | Hoja de datos |
Modelos EDA/CAD | SI4936CDY-T1-GE3 Modelos |
Tipo | Descripción | Seleccionar todo |
|---|---|---|
Categoría | ||
Fabricante | Vishay Siliconix | |
Serie | ||
Embalaje | Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel® | |
Estado de pieza | Activo | |
Tecnología | MOSFET (óxido de metal) | |
Configuración | Dos canal N (doble) | |
Característica de FET | Compuerta de nivel lógico | |
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) | 30V | |
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC | 5.8A | |
Rds On (máx) @ Id, Vgs | 40mOhm a 5A, 10V | |
Vgs(th) (máx) a Id | 3V a 250µA | |
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs | 9nC a 10V | |
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds | 325pF a 15V | |
Potencia - Máx. | 2.3W | |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
Tipo de montaje | Montaje en superficie | |
Paquete / Caja (carcasa) | 8-SOIC (0.154", 3.90mm de ancho) | |
Paquete del dispositivo del proveedor | 8-SOIC | |
Número de producto base |
| Cantidad | Precio por unidad | Precio ext. |
|---|---|---|
| 1 | 0,86000 € | 0,86 € |
| 10 | 0,53800 € | 5,38 € |
| 100 | 0,35090 € | 35,09 € |
| 500 | 0,27044 € | 135,22 € |
| 1.000 | 0,24450 € | 244,50 € |
| Cantidad | Precio por unidad | Precio ext. |
|---|---|---|
| 2.500 | 0,21640 € | 541,00 € |
| 5.000 | 0,19903 € | 995,15 € |
| 7.500 | 0,19018 € | 1.426,35 € |
| 12.500 | 0,18024 € | 2.253,00 € |
| 17.500 | 0,17435 € | 3.051,12 € |
| 25.000 | 0,17274 € | 4.318,50 € |
| Precio unitario sin IVA: | 0,86000 € |
|---|---|
| Precio unitario con IVA: | 1,04060 € |


